hírek

GaN ipari alkalmazások

A SiC-alapú és Si-alapú GaN alkalmazási területei nincsenek szigorúan elválasztva. A GaN-On-SiC eszközökben a SiC szubsztrát költsége viszonylag magas, és a SiC long kristály technológia egyre érettebbé válásával az eszköz ára várhatóan tovább csökken, és az erősáramú elektronikai eszközökben haszná......

A félvezető fűtőelemekről

A hőkezelés az egyik alapvető és fontos folyamat a félvezető folyamatban. A termikus folyamat az a folyamat, amikor egy ostyára hőenergiát alkalmaznak úgy, hogy meghatározott gázzal töltött környezetbe helyezik, beleértve az oxidációt/diffúziót/hevítést stb.

Kezdje meg a 3C-SiC lapka gyártását

A közelmúltban mért ömlesztett 3C-SiC hővezető képessége a második legmagasabb a hüvelyk méretű nagy kristályok között, közvetlenül a gyémánt alatt. A szilícium-karbid (SiC) egy széles sávú félvezető, amelyet széles körben használnak elektronikus alkalmazásokban, és különféle kristályos formákban, p......

A Semicorex bemutatja a 8 hüvelykes SiC epitaxiális lapátot

A tajvani PSMC 300 mm-es ostyagyárat épít Japánban

A tajvani Power Semiconductor Manufacturing Corporation (PSMC) bejelentette, hogy az SBI Holdings-szal együttműködésben egy 300 mm-es ostyagyárat épít Japánban. Az együttműködés célja Japán hazai IC (integrált áramkör) ellátási láncának megerősítése, különös tekintettel az AI élvonalbeli számítástec......

Mi az a CVD a SiC számára