> hírek

hírek

A SiC kristályok hibáiról - Mikrocső

A SiC szubsztrátumnak lehetnek mikroszkopikus hibái, mint például a menetcsavar diszlokáció (TSD), a menetél diszlokáció (TED), az alapsík diszlokáció (BPD) és mások. Ezeket a hibákat az atomok atomi szintű elrendezésének eltérései okozzák. A SiC kristályoknak lehetnek makroszkópikus diszlokációi is......

Olvass tovább

Miért válassza a folyadékfázisú epitaxiás módszert?

A PVT módszerhez képest a szilícium-karbid folyékony fázisú módszere a következő előnyökkel rendelkezik:

Olvass tovább

Mi az a folyadékfázisú epitaxia?

A folyadékfázisú módszer közelebb áll a termodinamikai egyensúlyi feltételekhez, és jobb minőségű SiC kristályokat képes növeszteni.

Olvass tovább

TaC bevonat

A kutatási eredmények szerint a TaC bevonat védő- és szigetelőrétegként szolgálhat a grafitkomponensek élettartamának meghosszabbítására, a radiális hőmérséklet egyenletességének javítására, a SiC szublimációs sztöchiometriájának fenntartására, a szennyeződések migrációjának visszaszorítására és az ......

Olvass tovább

Mi a CVD folyamat a félvezetőben?

A kémiai gőzleválasztásos CVD két vagy több gáznemű nyersanyag vákuum és magas hőmérsékletű reakciókamrába történő bevezetését jelenti, ahol a gáznemű alapanyagok egymással reakcióba lépve új anyagot képeznek, amely az ostya felületére kerül.

Olvass tovább

A fotovoltaikus ipar fejlődésének áttekintése

2027-re a fotovoltaikus napenergia (PV) megelőzi a szenet a világ legnagyobb beépített kapacitásaként. A napelem kumulatív beépített kapacitása közel háromszorosára nő előrejelzésünkben, közel 1500 gigawattal nő ebben az időszakban, és 2026-ra meghaladja a földgázt és 2027-re a szenet.

Olvass tovább

<...31 32 33 34 35...37 >