SiC ALD receptor

A Semicorex SiC ALD Susceptor számos előnnyel rendelkezik az ALD folyamatokban, beleértve a magas hőmérsékleti stabilitást, a fokozott film egyenletességét és minőségét, a jobb folyamat hatékonyságát és a szuszceptor meghosszabbítását. Ezek az előnyök a SiC ALD Susceptort értékes eszközzé teszik a nagy teljesítményű vékonyrétegek előállításához különféle igényes alkalmazásokban.**

Kérdés küldése

termékleírás

A Semicorex előnyeiSiC ALD receptor:

Stabilitás magas hőmérsékleten:A SiC ALD Susceptor megőrzi szerkezeti integritását emelt hőmérsékleten (akár 1600 °C-ig), lehetővé téve a magas hőmérsékletű ALD folyamatokat, amelyek sűrűbb filmeket eredményeznek, jobb elektromos tulajdonságokkal.

Kémiai tehetetlenség:A SiC ALD Susceptor kiváló ellenállást mutat az ALD-ben használt vegyszerek és prekurzorok széles skálájával szemben, minimalizálva a szennyeződés kockázatát és egyenletes filmminőséget biztosítva.

Egyenletes hőmérséklet-eloszlás:A SiC ALD Susceptor magas hővezető képessége elősegíti a hőmérséklet egyenletes eloszlását a szuszceptor felületén, ami egyenletes filmlerakódást és jobb eszközteljesítményt eredményez.

Alacsony gázkibocsátás:A SiC alacsony gázkibocsátó tulajdonságokkal rendelkezik, ami azt jelenti, hogy magas hőmérsékleten minimális szennyeződéseket bocsát ki. Ez kulcsfontosságú a tiszta feldolgozási környezet fenntartásához és a lerakódott film szennyeződésének megelőzéséhez.

Plazma ellenállás:A SiC jó ellenállást mutat a plazmamaratással szemben, így kompatibilis a plazmával továbbfejlesztett ALD (PEALD) folyamatokkal.

Hosszú élettartam:A SiC ALD Susceptor tartóssága és kopásállósága a szuszceptor hosszabb élettartamát eredményezi, csökkentve a gyakori cserék szükségességét és csökkentve az általános működési költségeket.

Az ALD és a CVD összehasonlítása:

Az atomos rétegleválasztás (ALD) és a kémiai gőzleválasztás (CVD) egyaránt széles körben használt vékonyréteg-leválasztási technikák, amelyek eltérő jellemzőkkel rendelkeznek. A különbségek megértése döntő fontosságú az adott alkalmazáshoz legmegfelelőbb módszer kiválasztásához.

ALD vs CVD

Az ALD fő előnyei:

Kivételes vastagságszabályozás és egységesség:Ideális olyan alkalmazásokhoz, amelyek atomi szintű pontosságot és konform bevonatot igényelnek összetett geometriákon.

Alacsony hőmérsékletű feldolgozás:Lehetővé teszi a lerakódást a hőmérsékletre érzékeny felületeken és szélesebb anyagválasztékot.

Kiváló filmminőség:Sűrű, lyukmentes fóliákat eredményez, alacsony szennyeződésekkel.

A CVD fő előnyei:

Magasabb lerakódási arány:Alkalmas olyan alkalmazásokhoz, amelyek gyorsabb leválasztási sebességet és vastagabb filmeket igényelnek.

Alacsonyabb költség:Költséghatékonyabb nagy felületű lerakáshoz és kevésbé igényes alkalmazásokhoz.

Sokoldalúság:Sokféle anyag lerakódására képes, beleértve a fémeket, félvezetőket és szigetelőket.