8 hüvelykes N-típusú SiC ostya

A Semicorex teljes szilícium-karbid (SiC) ostya termékcsaláddal rendelkezik, amely 4H és 6H szubsztrátumokat tartalmaz N-típusú, P-típusú és nagy tisztaságú félszigetelő lapkákkal, ezek lehetnek epitaxiával vagy anélkül.

A 8 hüvelykes N-típusú SiC ostyánk egy kiváló minőségű ostya, amely szilícium-karbid egykristályából készül, N-típusú adalékkal, és duplán polírozott. A nagyteljesítményű elektronikától a nagyfrekvenciás eszközökig sokféle alkalmazásra tervezett ostya a szilícium-karbid forradalom élvonalába tartozik.

Az ebben az ostyában használt SiC anyag kivételes hővezető képességgel büszkélkedhet, amely lehetővé teszi a hatékony hőelvezetést és csökkenti a hőellenállást. Ez a funkció biztosítja a magas hőmérsékleten működő készülékek megbízhatóságát és hosszú élettartamát, így tökéletes olyan igényes környezetekben, ahol a robusztusság kulcsfontosságú.

Ezenkívül a 8 hüvelykes N-típusú SiC Wafer kiváló elektromos tulajdonságokkal rendelkezik, mint például a nagy hordozómobilitás és az alacsony energiaveszteség, ami fokozott energiakezelési képességeket és alacsonyabb energiafogyasztást eredményez. Ezek az attribútumok kiváló választássá teszik teljesítményelektronikai alkalmazásokhoz, beleértve az invertereket, konvertereket és motorhajtásokat, ahol a hatékonyság és a megbízhatóság a legfontosabb.