Kína Ostya Gyártók, beszállítók, gyár

Mi az a félvezető ostya?

A félvezető lapka egy vékony, kerek szelet félvezető anyagból, amely az integrált áramkörök (IC) és más elektronikus eszközök gyártásának alapjául szolgál. Az ostya lapos és egyenletes felületet biztosít, amelyre különféle elektronikus alkatrészek épülnek.

Az ostyagyártási folyamat több lépésből áll, beleértve a kívánt félvezető anyagból egy nagyméretű egykristály növesztését, a kristály vékony szeletekre vágását gyémántfűrész segítségével, majd az ostyák polírozását és tisztítását a felületi hibák és szennyeződések eltávolítása érdekében. Az így kapott ostyák rendkívül sík és sima felülettel rendelkeznek, ami kulcsfontosságú a későbbi gyártási folyamatokhoz.

Az ostyák előkészítése után egy sor félvezető gyártási folyamaton mennek keresztül, például fotolitográfián, maratáson, felhordáson és adalékoláson, hogy létrehozzák az elektronikus alkatrészek építéséhez szükséges bonyolult mintákat és rétegeket. Ezeket a folyamatokat többször megismétlik egyetlen lapkán, hogy több integrált áramkört vagy más eszközt hozzanak létre.

A gyártási folyamat befejezése után az egyes chipeket úgy választják el, hogy az ostyát előre meghatározott vonalak mentén felkockázzák. A szétválasztott chipeket ezután csomagolják, hogy megvédjék őket, és elektromos csatlakozásokat biztosítsanak az elektronikus eszközökbe való integráláshoz.

Különböző anyagok ostyán

A félvezető lapkák elsősorban egykristályos szilíciumból készülnek annak bősége, kiváló elektromos tulajdonságai és a szabványos félvezetőgyártási eljárásokkal való kompatibilitás miatt. A konkrét alkalmazásoktól és követelményektől függően azonban más anyagok is felhasználhatók ostyák készítésére. Íme néhány példa:

Szilícium-karbid (SiC): A SiC egy széles sávú félvezető anyag, amely kiváló hővezető képességéről és magas hőmérsékleti teljesítményéről ismert. A SiC lapkákat nagy teljesítményű elektronikai eszközökben használják, például áramátalakítókban, inverterekben és elektromos járművek alkatrészeiben.

Gallium-nitrid (GaN): A GaN egy széles sávú félvezető anyag, kivételes teljesítménykezelési képességekkel. A GaN lapkákat teljesítményelektronikai eszközök, nagyfrekvenciás erősítők és LED-ek (fénykibocsátó diódák) gyártásához használják.

Gallium-arzenid (GaAs): A GaAs egy másik gyakori anyag, amelyet ostyákhoz használnak, különösen a nagyfrekvenciás és nagysebességű alkalmazásokban. A GaAs lapkák jobb teljesítményt nyújtanak bizonyos elektronikus eszközökhöz, például RF (rádiófrekvenciás) és mikrohullámú készülékekhez.

Indium-foszfid (InP): Az InP kiváló elektronmobilitású anyag, és gyakran használják optoelektronikai eszközökben, például lézerekben, fotodetektorokban és nagy sebességű tranzisztorokban. Az InP lapkák alkalmasak száloptikai kommunikációra, műholdas kommunikációra és nagy sebességű adatátvitelre.

View as

Ga2O3 szubsztrát

Használja ki a legmodernebb félvezető alkalmazásokban rejlő lehetőségeket Ga2O3 szubsztrátumunkkal, amely egy forradalmi anyag a félvezető innováció élvonalában. A Ga2O3, egy negyedik generációs szélessávú félvezető, páratlan jellemzőkkel rendelkezik, amelyek újradefiniálják a tápegység teljesítményét és megbízhatóságát.

Olvass tovább Kérdés küldése

850 V nagy teljesítményű GaN-on-Si Epi Wafer

A Semicorex 850 V-os nagy teljesítményű GaN-on-Si Epi Wafert biztosít. A HMET tápegységek más hordozóihoz képest a 850 V-os nagy teljesítményű GaN-on-Si Epi Wafer nagyobb méreteket és változatosabb alkalmazásokat tesz lehetővé, és gyorsan beépíthető a főbb gyártók szilícium alapú chipjébe. A Semicorex elkötelezett amellett, hogy minőségi termékeket kínáljon versenyképes áron, és reméljük, hogy hosszú távú partnere lehetünk Kínában.

Olvass tovább Kérdés küldése

Si Epitaxia

Az Si-epitaxia kulcsfontosságú technika a félvezetőiparban, mivel kiváló minőségű szilíciumfilmek előállítását teszi lehetővé különféle elektronikus és optoelektronikai eszközökhöz szabott tulajdonságokkal. . A Semicorex elkötelezett amellett, hogy minőségi termékeket kínáljon versenyképes áron, és reméljük, hogy hosszú távú partnere lehetünk Kínában.

Olvass tovább Kérdés küldése

GaN epitaxia

A Semicorex egyedi vékonyrétegű HEMT (gallium-nitrid) GaN epitaxiát biztosít Si/SiC/GaN szubsztrátumokon. A Semicorex elkötelezett amellett, hogy minőségi termékeket kínáljon versenyképes áron, és reméljük, hogy hosszú távú partnere lehetünk Kínában.

Olvass tovább Kérdés küldése

SiC epitaxia

A Semicorex egyedi vékonyrétegű (szilícium-karbid) SiC-epitaxiát biztosít a szubsztrátumokon – szilícium-karbid eszközök fejlesztéséhez. A Semicorex elkötelezett amellett, hogy minőségi termékeket kínáljon versenyképes áron, és reméljük, hogy hosszú távú partnere lehetünk Kínában.

Olvass tovább Kérdés küldése

SiN kerámia sima szubsztrátumok

A SiN Ceramics Plain Substrates egy nagy teljesítményű anyag, amely hőstabilitásáról, mechanikai szilárdságáról, elektromos szigeteléséről, korrózióállóságáról és dielektromos tulajdonságairól ismert. A Semicorex elkötelezett amellett, hogy minőségi termékeket kínáljon versenyképes áron, és reméljük, hogy hosszú távú partnere lehetünk Kínában.

Olvass tovább Kérdés küldése

<1 2 3 4 >

A Semicorex sok éve gyárt Ostya terméket, és az egyik professzionális Ostya gyártó és beszállító Kínában. Miután megvásárolta fejlett és tartós termékeinket, amelyek tömeges csomagolást biztosítanak, garantáljuk a nagy mennyiség gyors szállítását. Az évek során személyre szabott szolgáltatást nyújtottunk ügyfeleinknek. Vásárlóink elégedettek termékeinkkel és kiváló szolgáltatásainkkal. Őszintén várjuk, hogy megbízható, hosszú távú üzleti partnere lehessünk! Üdvözöljük, hogy vásároljon termékeket gyárunkból.