itthon > Termékek > Ostya > Epi-Wafer > SIC EPI ostya
SIC EPI ostya
  • SIC EPI ostyaSIC EPI ostya

SIC EPI ostya

A Semicorex SIC EPI ostyák kulcsfontosságú anyagává válnak a technológiai innováció előmozdításában a magas frekvenciájú, magas hőmérsékleten és a nagy teljesítményű alkalmazási forgatókönyvekben, kiváló fizikai tulajdonságaik miatt. A Semicorex SIC EPI ostyák az iparágban vezető epitaxiális növekedési technológiát használják, és úgy tervezték, hogy megfeleljen az új energia járművek, az 5G kommunikáció, a megújuló energia és az ipari tápegységek csúcskategóriás igényeinek, nagy teljesítményű, nagy megbízhatósági alapvető félvezető megoldásokkal.*

Kérdés küldése

termékleírás

A Semicorex SIC EPI ostyák a szubsztrát felületén termesztett SIC egyrétegű fóliával kémiai gőzlerakódás (CVD) révén. A dopping típusa, a dopping koncentráció és a vastagság pontosan szabályozható az eszköz tervezési követelményeinek megfelelően. Ez az eszköz funkcionális területének alapvető eleme.


A SIC EPI ostyák legfontosabb jellemzői


Az epitaxiális ostyák teljesítményét a következő jellemzők határozzák meg:

Dopping Karakter:

A SIC EPI ostyák a szükséges elektromos tulajdonságokat érik el a dopping koncentráció (N-típusú vagy P-típusú) pontos szabályozásával, és a koncentráció egységessége kulcsfontosságú mutató.

Vastagságvezérlés:

Az eszköz tervezési követelményei szerint az epitaxiális réteg vastagsága néhány mikronról több tíz mikronra terjedhet. Például a nagyfeszültségű eszközök vastagabb epitaxiális rétegeket igényelnek a magasabb bontási feszültségek támogatása érdekében.

Felületminőség:

Az epitaxiális réteg felületi lapossága közvetlenül befolyásolja az eszköz gyártási pontosságát. A nanoméretű felületi érdesség és az alacsony hibás sűrűség kulcsfontosságú követelmények az epitaxiális ostyákhoz.


A SIC EPI ostyák fő előkészítési folyamata

Az epitaxiális ostyák előállítása elsősorban a CVD technológián keresztül érhető el. A szénforrás és a szilíciumforrás -gázok magas hőmérsékleten reagálnak, és a szubsztrát felületére lerakódnak, hogy epitaxiális réteget képezzenek.


A folyamatparaméterek hatása:

A hőmérséklet, a gázáramlás, a légkör és más tényezők közvetlenül befolyásolják az epitaxiális réteg vastagságát, dopping egységességét és felületi minőségét.


A SIC EPI ostyák alapvető szerepe

Az epitaxiális ostyák döntő szerepet játszanak a SIC eszközökben: aktív területként: Biztosítsa a szükséges elektromos tulajdonságokat, például az aktuális csatornák kialakulását vagy a PN csomópontokat. Határozza meg az eszköz teljesítményét: például olyan kulcs paraméterek, mint például a bontási feszültség és az ellenállás.


Alkalmazások a SIC EPI ostyák több területén


Új energia járművek: Kettős foltos motor az állóképességhez és a teljesítményhez

Mivel a globális autóipar felgyorsítja az elektrizációvá történő átalakulását, az új energia járművek teljesítményének optimalizálása a fő autógyártók közötti verseny középpontjába került. A SIC EPI ostyák nélkülözhetetlen szerepet játszanak ebben. Az új energia járművek alapvető alkotóelemében - a motoros meghajtó rendszer, a szilícium -karbid -epitaxiális ostyákon alapuló tápegységek ragyognak. Elérheti a magasabb frekvenciájú váltási műveleteket, jelentősen csökkentheti a váltási veszteségeket, és jelentősen javíthatja a motor működési hatékonyságát. Ez olyan, mint egy erős energiaforrás befecskendezése az autóba, amely nemcsak hatékonyan növeli a jármű hajózási tartományát, hanem lehetővé teszi a jármű számára, hogy jobban teljesítsen olyan körülmények között, mint például gyorsulás és hegymászás. Például, miután néhány csúcskategóriás elektromos jármű elfogadja a szilícium -karbid teljesítménymodulokat, a vezetési tartomány 10–15% -kal növelhető, és a töltési idő nagymértékben lerövidíthető, ami nagy kényelmet és jobb vezetési élményt jelent a felhasználók számára. Ugyanakkor a fedélzeti töltők (OBC) és az energiakonverziós rendszerek (DC-DC) szempontjából a szilícium-karbid epitaxiális ostyák alkalmazása szintén hatékonyabbá, kisebb méretű és könnyebbé teszi a töltést, ami elősegíti az autó általános szerkezetének optimalizálását.


Power Electronics: Az intelligens és hatékony energiahálózat felépítésének sarokköve

A Power Electronics területén a SIC EPI ostya segíti az intelligens hálózatok felépítését az új magasságok elérésében. A hagyományos szilícium-alapú energiakészülékek fokozatosan feltárják korlátait az erőátvitel és az átalakulás növekvő keresletével szemben. A szilícium-karbid-epitaxiális ostyák kiváló nagyfeszültségű, magas hőmérsékletű és nagy teljesítményű tulajdonságaikkal ideális megoldást kínálnak az elektromos berendezések korszerűsítéséhez. Az energiaátviteli kapcsolatokban a szilícium -karbid teljesítményű eszközök nagyobb hatékonysággal továbbíthatják az elektromos energiát, csökkentve az energiaveszteséget az átviteli folyamat során, akárcsak az akadály nélküli "autópálya" előkészítésére az elektromos energiához, jelentősen javítva az energiaátviteli képességet és az energiahálózat stabilitását. Az energiaátalakítás és az eloszlás szempontjából a szilícium -karbid -epitaxiális ostyák használata az elektronikus transzformátorokban, a reaktív kompenzációs eszközökben és az alállomások más berendezéseiben pontosabban ellenőrizheti az energiaparamétereket, megvalósíthatja az energiahálózat intelligens szabályozását, hatékonyan javíthatja az energiahálózat megbízhatóságát és energiaminőségét, és biztosítja a stabil és megbízható energiaellátást mindennapi életünkben és ipari termelésünkben.


Hot Tags: SIC EPI ostya, Kína, Gyártók, Szállítók, Gyári, Testreszabott, Ömlesztett, Haladó, Tartós
Kapcsolódó kategória
Kérdés küldése
Kérdését az alábbi űrlapon adja meg. 24 órán belül válaszolunk.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept