CVD TAC bevonatú gyűrűk

A SEMICOREX CVD TAC bevonatú gyűrűk precíziós formájú alkatrészek, amelyeket kifejezetten a kristálynövekedéshez terveztek, különösen az irányított megszilárdulás és a Czochralski (CZ) húzó rendszerek között. Ezek a CVD TAC bevonatú gyűrűk áramlási útmutatóként működnek - amelyet „áramlási gyűrűknek” vagy „gázfejlesztési gyűrűknek” neveznek -, és kritikus szerepet játszanak a stabil gázáramlási minták és a termikus környezet fenntartásában a kristály növekedési szakaszában.

A szilícium-karbid ostya növekedését példa szerint a grafit anyagok és a szén-szén kompozit anyagok termálmező anyagokban nehéz megfelelni a komplex atmoszférának (SI, SIC₂, SI₂C) 2300 ℃-nél. Nemcsak a szolgáltatási élettartam rövid, hanem a különböző alkatrészeket minden egy -tíz kemencében cserélik, és a dialízis és a grafit illékonysága magas hőmérsékleten könnyen kristályhibákhoz, például szén -dioxid -zárványokhoz vezethet. A félvezető kristályok magas színvonalú és stabil növekedésének biztosítása érdekében, valamint az ipari termelés költségeinek figyelembevétele érdekében az ultra-magas hőmérsékletű korrózió-rezisztens kerámia bevonatok előállítják a grafit alkatrészek felületén, amely meghosszabbítja a grafitkomponensek élettartamát, gátolja a szennyeződés migrációt és javítja a kristály tisztaságait. A szilícium -karbid epitaxiális növekedése során a szilícium -karbid bevonatú grafitszöveteket általában az egykristályos szubsztrátok hordozására és melegítésére használják. Szolgáltatási élettartamukat továbbra is javítani kell, és a felületen lévő szilícium -karbid lerakódásokat rendszeresen meg kell tisztítani. Ezzel szemben:Tantalum karbid (TAC) bevonatokjobban ellenállnak a korrozív légkörnek és a magas hőmérsékleteknek, és az ilyen SIC kristályok alaptechnikája "növekszik, vastag és jól növekedni".

A TAC olvadási pontja akár 3880 ℃ -ig terjed, és nagy mechanikai szilárdsággal, keménységgel és termikus ütésállósággal rendelkezik; Jó kémiai tehetetlenséggel és hőstabilitással rendelkezik az ammónia, a hidrogén és a szilíciumtartalmú gőz magas hőmérsékleten. A TAC bevonatokkal bevont grafit (szén-szén kompozit) anyagok valószínűleg helyettesítik a hagyományos nagy tisztességű grafitot, a PBN bevonatot, a SIC bevonattal ellátott alkatrészeket stb. Ezen felül, ezen kívül, a repülőgéppel területén a TAC nagy potenciállal rendelkezik, hogy magas hőmérsékletű oxidáció és anti-ablációellenes bevonatként használható, és széles körű alkalmazási lehetőségekkel rendelkezik. Ennek ellenére még mindig sok kihívás van a sűrű, egységes és nem lebegő TAC bevonatok előkészítésére a grafit felületén, és elősegíti az ipari tömegtermelést. Ebben a folyamatban a bevonat védelmi mechanizmusának feltárása, a termelési folyamat innovációja és a legfelső idegrendszeri versenyek döntő jelentőségű a harmadik generációs félvezető kristálynövekedés és az epitaxia szempontjából.

A SIC PVT eljárás egy hagyományos grafitkészlettel ésCVD TAC bevonatA gyűrűket úgy modellezték, hogy megértsük az emisszióképességnek a hőmérséklet -eloszlásra gyakorolt hatását, ami a növekedési ütem és a rúd alakjának megváltozásához vezethet. Kimutatták, hogy a CVD TAC bevont gyűrűk egységesebb hőmérsékletet érnek el a meglévő grafithoz képest. Ezenkívül a TAC bevonat kiváló termikus és kémiai stabilitása megakadályozza a szén reakcióját az SI gőzzel. Ennek eredményeként a TAC bevonat egységesebbé teszi a C/Si eloszlását radiális irányban.