CVD TaC bevonatú szuszceptor

A TaC minősége magában foglalja a kivételes keménységet, korrózióállóságot és hőstabilitást. A TaC olvadáspontja meghaladja a 3800 °C-ot, és mint ilyen, ma az egyik leghőállóbb anyag, így alkalmas MOCVD reaktorokban való használatra, wtantál-karbid bevonat (TaC)kémiai gőzleválasztással (CVD) készül.

A TaC minősége magában foglalja a kivételes keménységet, korrózióállóságot és hőstabilitást. A TaC olvadáspontja meghaladja a 3800 °C-ot, és mint ilyen, ma az egyik leghőállóbb anyag, így alkalmas MOCVD reaktorokban való használatra, w

a prekurzorokat, amelyek sokkal forróbbak és erősen maró hatásúak lehetnek. ACVD TaC bevonatképes kezelni a kristály élhibáit és javítani a kristálynövekedés minőségét, így a "gyorsabb, vastagabb és hosszabb növekedés" elérésének alapvető technológiája. Iparági kutatások azt is kimutatták, hogy a tantál-karbid bevonatú grafittégelyek egyenletesebb melegítést tudnak elérni, ezáltal kiváló folyamatszabályozást biztosítanak a SiC egykristály növekedéséhez, ezáltal jelentősen csökkentve a polikristályosodás valószínűségét a SiC kristály peremén.

Az ostyasuszceptorok kritikus komponensek az ostya előkészítésében és a III. osztályú félvezetők epitaxiális növekedésében, mint például a SiC, AlN és GaN. A legtöbb ostyahordozó grafitból készül, és SiC-vel van bevonva, hogy megvédje a technológiai gázoktól származó korróziót. Az epitaxiális növekedési hőmérséklet 1100 és 1600 °C között van, és a védőbevonat korrózióállósága kulcsfontosságú az ostyahordozó élettartama szempontjából. A kutatások kimutatták, hogy a TaC hatszor lassabban korrodál, mint a SiC magas hőmérsékletű ammóniában, és több mint tízszer lassabban magas hőmérsékletű hidrogénben.

Kísérletek kimutatták, hogy a TaC-bevonatú hordozók kiváló kompatibilitást mutatnak a kék GaN MOCVD eljárásban szennyeződések bejuttatása nélkül. A korlátozott folyamatbeállításokkal a TaC hordozókkal termesztett LED-ek teljesítménye és egyenletessége a hagyományos SiC hordozókkal termesztettekhez hasonló teljesítményt mutat. Ezért a TaC bevonatú hordozók élettartama hosszabb, mint a csupasz grafit és a SiC bevonatú grafit hordozók.

Használatatantál-karbid (TaC) bevonatokképes kezelni a kristály élhibáit és javítani a kristálynövekedés minőségét, így a "gyorsabb, vastagabb és hosszabb növekedés" elérésének alapvető technológiája. Iparági kutatások azt is kimutatták, hogy a tantál-karbid bevonatú grafittégelyek egyenletesebb melegítést tudnak elérni, ezáltal kiváló folyamatszabályozást biztosítanak a SiC egykristály növekedéséhez, ezáltal jelentősen csökkentve a polikristályosodás valószínűségét a SiC kristály peremén.

A TaC CVD rétegfelhordási módszere rendkívül sűrű és tapadó bevonatot eredményez. A CVD TaC molekulárisan kötődik a szubsztrátumhoz, ellentétben a permetezett vagy szinterezett bevonatokkal, amelyekről a bevonat delaminációnak lenne kitéve. Ez jobb tapadást, sima felületkezelést és magas integritást eredményez. A bevonat ellenáll az eróziónak, repedésnek és hámlásnak még akkor is, ha agresszív folyamatkörnyezetben ismételten termikusan körbejárják. Ez elősegíti a szuszceptor hosszabb élettartamát, valamint csökkenti a karbantartási és csereköltségeket.

A CVD TaC bevonatú szuszceptor testreszabható, hogy megfeleljen a MOCVD reaktorkonfigurációinak, beleértve a vízszintes, függőleges és bolygórendszereket.  A testreszabás magában foglalja a bevonat vastagságát, a hordozóanyagot és a geometriát, lehetővé téve az optimalizálást a folyamat körülményeitől függően.  Akár GaN, AlGaN, InGaN vagy más összetett félvezető anyagok esetében, a szuszceptor stabil és megismételhető teljesítményt biztosít, mindkettő elengedhetetlen a nagy teljesítményű eszközfeldolgozáshoz.

A TaC bevonat nagyobb tartósságot és tisztaságot biztosít, ugyanakkor megerősíti a szuszceptor mechanikai tulajdonságait, ellenállva az ismétlődő hőterhelés okozta termikus deformációnak. A mechanikai tulajdonságok biztosítják az ostya tartós támasztását és forgási egyensúlyát a hosszú lerakási folyamatok során.  Ezen túlmenően a fejlesztés elősegíti a folyamatos reprodukálhatóságot és a berendezések üzemidejét.