ICP plazma maratótálca

A Semicorex ICP plazmamaratási tálcáját kifejezetten olyan magas hőmérsékletű ostyakezelési eljárásokhoz tervezték, mint az epitaxia és a MOCVD. A stabil, akár 1600°C-ig terjedő magas hőmérsékletű oxidációs ellenállással hordozóink egyenletes hőprofilt, lamináris gázáramlási mintákat biztosítanak, és megakadályozzák a szennyeződéseket vagy a szennyeződések diffúzióját.

Kérdés küldése

termékleírás

Az ICP plazma marató tálcánk CVD módszerrel szilícium-karbid bevonattal van ellátva, amely ideális megoldás a magas hőmérsékletű és durva vegyszeres tisztítást igénylő ostyakezelési folyamatokhoz. A Semicorex hordozói finom SiC kristály bevonattal rendelkeznek, amely egyenletes hőprofilt, lamináris gázáramlási mintákat biztosít, és megakadályozza a szennyeződést vagy a szennyeződések diffúzióját.
A Semicorexnél arra összpontosítunk, hogy kiváló minőségű, költséghatékony termékeket biztosítsunk ügyfeleinknek. Az ICP plazma marató tálcánk árelőnnyel rendelkezik, és számos európai és amerikai piacra exportálják. Célunk, hogy az Ön hosszú távú partnere legyünk, állandó minőségű termékeket és kivételes ügyfélszolgálatot biztosítva.
Lépjen kapcsolatba velünk még ma, ha többet szeretne megtudni az ICP plazmatálcáról.

Az ICP plazma maratási tálca paraméterei

A CVD-SIC bevonat főbb specifikációi
SiC-CVD tulajdonságai
Kristályszerkezet	FCC β fázis
Sűrűség	g/cm³	3.21
Keménység	Vickers keménység	2500
Szemcseméret	μm	2~10
Kémiai tisztaság	%	99.99995
Hőkapacitás	J kg-1 K-1	640
Szublimációs hőmérséklet	℃	2700
Felexurális Erő	MPa (RT 4 pontos)	415
Young's Modulus	Gpa (4 pont kanyar, 1300 ℃)	430
Hőtágulás (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Hővezetőképesség	(W/mK)	300