LPE SiC-Epi Halfmoon

A Semicorex LPE SiC-Epi Halfmoon a berendezések összetevőinek védelmével, a szennyeződések megelőzésével és az állandó folyamatfeltételek biztosításával képessé teszi a félvezetőipart arra, hogy egyre kifinomultabb és nagy teljesítményű eszközöket állítsanak elő, amelyek a technológiai világunkat táplálják.

Sok anyag megromlik a teljesítménye magasabb hőmérsékleten, de nem a CVD TaC. Az LPE SiC-Epi Halfmoon kivételes termikus stabilitásával és oxidációval szembeni ellenálló képességével szerkezetileg szilárd és kémiailag inert marad még az epitaxiás reaktorokban tapasztalható magas hőmérsékleten is. Ez biztosítja az egyenletes fűtési profilokat, megakadályozza a leromlott alkatrészek által okozott szennyeződést, és megbízható kristálynövekedést tesz lehetővé. Ez a rugalmasság a TaC magas olvadáspontjából (3800°C-ot meghaladó), valamint oxidációval és hősokkkal szembeni ellenállásából fakad.

Számos epitaxiális folyamat reaktív gázokra, például szilánra, ammóniára és fémorganikus anyagokra támaszkodik, hogy az alkotó atomokat a növekvő kristályhoz szállítsák. Ezek a gázok erősen maró hatásúak lehetnek, megtámadhatják a reaktor komponenseit, és potenciálisan szennyezhetik az érzékeny epitaxiális réteget. Az LPE SiC-Epi Halfmoon dacol a vegyi veszélyek záporával szemben. Az l reaktív gázokkal szembeni inertsége a TaC-rácson belüli erős kémiai kötésekből ered, amelyek megakadályozzák, hogy ezek a gázok reakcióba lépjenek a bevonattal, vagy átdiffundáljanak a bevonaton. Ez a kivételes vegyszerállóság teszi az LPE SiC-Epi Halfmoon-t az alkatrészek védelmének jelentős részévé a kemény vegyi feldolgozási környezetben.

A súrlódás a hatékonyság és a hosszú élettartam ellensége. Az LPE SiC-Epi Halfmoon CVD TaC bevonata megdönthetetlen pajzsként működik a kopás ellen, jelentősen csökkentve a súrlódási együtthatókat és minimálisra csökkentve az anyagveszteséget a működés során. Ez a kivételes kopásállóság különösen értékes a nagy igénybevételnek kitett alkalmazásoknál, ahol még a mikroszkopikus kopás is jelentős teljesítményromláshoz és idő előtti meghibásodáshoz vezethet. Az LPE SiC-Epi Halfmoon kiválóan teljesít ezen a téren, és kivételes konform lefedettséget kínál, amely biztosítja, hogy a legösszetettebb geometriák is teljes és védőréteget kapjanak, növelve a teljesítményt és a hosszú élettartamot.

Elmúltak azok az idők, amikor a CVD TaC bevonatok kis, speciális alkatrészekre korlátozódtak. A felhordási technológia fejlődése lehetővé tette a bevonatok létrehozását akár 750 mm átmérőjű felületeken is, megnyitva az utat a nagyobb, robusztusabb alkatrészek előtt, amelyek még igényesebb alkalmazások kezelésére is alkalmasak.

8 hüvelykes Halfmoon alkatrész LPE reaktorhoz

A CVD TaC bevonatok előnyei az epitaxiában:

Továbbfejlesztett eszközteljesítmény:A folyamat tisztaságának és egyenletességének megőrzésével a CVD TaC bevonatok hozzájárulnak a jobb minőségű epitaxiális rétegek növekedéséhez, javított elektromos és optikai tulajdonságokkal, ami jobb teljesítményt eredményez a félvezető eszközökben.

Megnövekedett áteresztőképesség és hozam:A CVD TaC bevonatú alkatrészek meghosszabbított élettartama csökkenti a karbantartással és cserével kapcsolatos állásidőt, ami a reaktor magasabb üzemidejét és a termelési teljesítmény növekedését eredményezi. Ezenkívül a csökkent szennyeződési kockázat a használható eszközök magasabb hozamát jelenti.

Költséghatékonyság:Míg a CVD TaC bevonatok magasabb előzetes költséggel járhatnak, meghosszabbított élettartamuk, csökkentett karbantartási igényük és jobb eszközteljesítményük jelentős költségmegtakarításhoz járul hozzá az epitaxia berendezés élettartama során.