MOCVD szuszceptor TaC bevonattal

A Semicorex MOCVD szuszceptor TaC bevonattal gondosan válogatott grafitból készül, amelyet kivételes tulajdonságai miatt választottak ki a nagy teljesítmény és tartósság érdekében. A grafit kiváló hő- és elektromos vezetőképességéről, valamint a MOCVD-eljárásokra jellemző magas hőmérsékletnek is ellenálló képességéről ismert. Ennek a MOCVD szuszceptornak a legfontosabb jellemzője a TaC bevonatban rejlik. A tantál-karbid egy tűzálló kerámiaanyag, amely kivételes keménységéről, kémiai tehetetlenségéről és hőstabilitásáról híres. A grafit szuszceptor TaC bevonásával olyan alkatrészt érünk el, amely nemcsak a MOCVD-folyamatok megerőltető körülményeinek ellenáll, hanem a rendszer általános teljesítményét és tartósságát is javítja.

A TaC bevonattal ellátott MOCVD Susceptor erős kötést biztosít a bevonat és a grafit hordozó között. A grafit gondos kiválasztása ebben döntő szerepet játszik. A TaC bevonattal ellátott MOCVD szuszceptorunkban használt grafit hőtágulási együtthatója (CTE) szorosan megegyezik a TaC bevonattal. Ez a szoros egyezés a CTE értékekben minimalizálja azokat a termikus feszültségeket, amelyek a MOCVD folyamatokra jellemző gyors fűtési és hűtési ciklusok során felléphetnek. Ennek eredményeként a TaC bevonat erősebben tapad a grafit szubsztrátumhoz, jelentősen megnövelve a szuszceptor mechanikai integritását és élettartamát.

A TaC bevonattal ellátott MOCVD Susceptor rendkívül tartós, és károsodás nélkül ellenáll a mechanikai igénybevételeknek és a MOCVD eljárás zord körülményeinek. Ez a tartósság elengedhetetlen a nagy hozamú epitaxiális növekedéshez szükséges pontos geometria és felületminőség fenntartásához. A robusztus TaC bevonat meghosszabbítja a szuszceptor élettartamát, csökkenti a cserék gyakoriságát és csökkenti a MOCVD rendszer birtoklásának teljes költségét.

A TaC hőstabilitása lehetővé teszi, hogy a TaC bevonattal ellátott MOCVD szuszceptor a hatékony MOCVD folyamatokhoz szükséges magas hőmérsékleten működjön. Ez azt jelenti, hogy a TaC bevonattal ellátott MOCVD Susceptor a leválasztási folyamatok széles skáláját tudja támogatni, az alacsony hőmérsékletű GaN növekedéstől a magas hőmérsékletű SiC epitaxiáig, így értékes komponenssé válik a félvezetőgyártók számára, akik MOCVD rendszereiket különféle alkalmazásokhoz kívánják optimalizálni.

A Semicorex MOCVD szuszceptor TaC bevonattal jelentős előrelépést jelent a félvezető epitaxiában. A grafit és a TaC tulajdonságainak kombinálásával olyan szuszceptort fejlesztettünk ki, amely nem csak megfelel, de meghaladja a modern MOCVD eljárások követelményeit. A grafit szubsztrátum és a TaC bevonat közötti szorosan illeszkedő hőtágulási együttható (CTE) erős kötést biztosít, míg a TaC kivételes keménysége, kémiai tehetetlensége és hőstabilitása páratlan védelmet és tartósságot biztosít. Ez egy olyan szuszceptort eredményez, amely kiváló teljesítményt nyújt, javítja az epitaxiális növekedés minőségét és meghosszabbítja a MOCVD rendszerek élettartamát. A félvezetőgyártók támaszkodhatnak a TaC bevonattal ellátott MOCVD szuszceptorunkra, hogy nagyobb hozamot, alacsonyabb költségeket és nagyobb folyamatrugalmasságot érjenek el, így ez a technológiai innováció és a félvezetőgyártás kiválóságára való törekvés alapvető összetevője.