> hírek

hírek

A SiC szubsztrátok kritikus szerepe és a kristálynövekedés a félvezetőiparban

A szilícium-karbid (SiC) ipari láncon belül a szubsztrátum-beszállítók jelentős tőkeáttétellel rendelkeznek, elsősorban az értékmegosztás miatt. A teljes érték 47%-át a SiC hordozók teszik ki, ezt követik az epitaxiális rétegek 23%-kal, míg az eszköztervezés és -gyártás a fennmaradó 30%-ot. Ez a for......

Olvass tovább

SiC és GaN alkalmazása elektromos járművekben

A SiC MOSFET-ek olyan tranzisztorok, amelyek nagy teljesítménysűrűséget, jobb hatásfokot és alacsony meghibásodási arányt kínálnak magas hőmérsékleten. A SiC MOSFET-ek ezen előnyei számos előnnyel járnak az elektromos járművek (EV-k) számára, beleértve a hosszabb hatótávolságot, a gyorsabb töltést é......

Olvass tovább

4. generációs félvezetők gallium-oxid/β-Ga2O3

A félvezető anyagok első generációját főként a szilícium (Si) és a germánium (Ge) képviseli, amelyek az 1950-es években kezdtek emelkedni. A germánium domináns volt a korai időkben, főként kisfeszültségű, alacsony frekvenciájú, közepes teljesítményű tranzisztorokban és fotodetektorokban használták, ......

Olvass tovább

Hibamentes epitaxiális növekedés és helytelen diszlokációk

Hibamentes epitaxiális növekedés akkor következik be, ha az egyik kristályrács közel azonos rácsállandókkal rendelkezik a másikéval. A növekedés akkor következik be, ha a két rács rácshelyei az interfész régióban megközelítőleg egyeznek, ami kis rácshibával (kevesebb, mint 0,1%) lehetséges. Ez a hoz......

Olvass tovább

Oxidációs folyamat

Minden folyamat legalapvetőbb szakasza az oxidációs folyamat. Az oxidációs folyamat során a szilícium ostyát oxidálószerek, például oxigén vagy vízgőz atmoszférájába helyezik magas hőmérsékletű hőkezeléshez (800-1200 ℃), és a szilícium lapka felületén kémiai reakció megy végbe, oxidfilmet képezve. (......

Olvass tovább

Miért nem nő a Gllium-nitrid (GaN) epitaxia GaN szubsztrátumon?

A GaN epitaxia növekedése a GaN szubsztrátumon egyedülálló kihívást jelent, annak ellenére, hogy az anyag a szilíciummal összehasonlítva kiváló tulajdonságai vannak. A GaN epitaxy jelentős előnyöket kínál a sávszélesség, a hővezetőképesség és a lebontó elektromos tér tekintetében a szilícium alapú a......

Olvass tovább

<...9 10 11 12 13...30 >