A 300 mm átmérőjű szilícium polírozó lapkák 0,13 μm-nél kisebb vonalszélességű IC chip áramköri folyamatainak magas minőségi követelményeinek eléréséhez elengedhetetlen a szennyeződések, például fémionok okozta szennyeződések minimalizálása az ostya felületén.
Olvass továbbMiközben a világ új lehetőségeket keres a félvezetők területén, a gallium-nitrid (GaN) továbbra is kiemelkedik potenciális jelöltként a jövőbeli energia- és rádiófrekvenciás alkalmazásokhoz. Számos előnye ellenére azonban a GaN jelentős kihívással néz szembe: a P-típusú termékek hiányával. Miért ta......
Olvass továbbA szilícium lapka felületének polírozása döntő fontosságú folyamat a félvezetőgyártásban. Elsődleges célja a rendkívül magas felületi síkosság és érdesség elérése a mikrohibák, feszültségi sérülésrétegek és a szennyeződésektől, például fémionoktól származó szennyeződések eltávolításával.
Olvass tovább