A félvezetőiparban az epitaxiális rétegek kulcsfontosságú szerepet játszanak azáltal, hogy speciális egykristályos vékony filmeket képeznek egy ostyahordozón, összefoglaló néven epitaxiális lapkákként. A szilícium-karbid (SiC) epitaxiális rétegek vezetőképes SiC szubsztrátumokon különösen homogén Si......
Olvass továbbJelenleg a legtöbb SiC szubsztrát gyártó új tégelyes termikus téreljárást alkalmaz porózus grafithengerekkel: a grafittégely fala és a porózus grafithenger közé nagy tisztaságú SiC szemcsés nyersanyagokat helyeznek el, miközben a teljes tégelyt mélyítik és növelik a tégely átmérőjét.
Olvass továbbAz epitaxiális növekedés egy kristálytanilag jól rendezett monokristályos réteg növesztésének folyamatát jelenti egy szubsztrátumon. Általánosságban elmondható, hogy az epitaxiális növekedés magában foglalja egy kristályréteg tenyésztését egy kristályos szubsztrátumon, ahol a megnövekedett réteg ugy......
Olvass továbbA kémiai gőzfázisú leválasztás (CVD) olyan folyamattechnológiára utal, amelyben több gáznemű reagens különböző parciális nyomáson megy keresztül kémiai reakción meghatározott hőmérsékleti és nyomási körülmények között. A keletkező szilárd anyag lerakódik a szubsztrátum anyagának felületére, ezáltal ......
Olvass tovább