> hírek

hírek

A TAC bevonat előnyei a SIC egyetlen kristálynövekedésben

Jelenleg a szilícium -karbid uralja a félvezetők harmadik generációját. A szilícium -karbid -eszközök költségszerkezetében a szubsztrátok 47%-ot tesznek ki, az epitaxia pedig 23%-ot. Ez a két összetevő együttesen a teljes gyártási költség kb. 70% -át képviseli, ami döntő jelentőségűvé teszi őket a s......

Olvass tovább

A szilícium-karbid alkalmazásai

Az elektromos járművek alapelemei között az autóipari teljesítménymodulok – elsősorban az IGBT technológiát alkalmazva – döntő szerepet játszanak. Ezek a modulok nemcsak az elektromos hajtásrendszer kulcsfontosságú teljesítményét határozzák meg, hanem a motorinverter költségének több mint 40%-át is ......

Olvass tovább

A 12 hüvelykes szilícium-karbid hordozók alkalmazási lehetőségei

A szilícium-karbid (SiC), mint széles sávszélességű félvezető anyag, páratlan előnyöket kínál a nagy teljesítményű, magas hőmérsékletű és nagyfrekvenciás alkalmazásokban.

Olvass tovább

Czochralski módszer

Az ostyákat kristályrudakból szeleteljük, amelyeket polikristályos és tiszta, adalékolatlan belső anyagokból állítanak elő. A polikristályos anyagok egykristályokká alakításának folyamatát olvasztással és átkristályosítással kristálynövekedésnek nevezik. Jelenleg két fő módszert alkalmaznak ehhez az......

Olvass tovább

Ostya gyártás

Az ostyák az integrált áramkörök, tápegységek és félvezető diszkrét eszközök alapvető nyersanyagai. Az integrált áramkörök több mint 90%-a nagy tisztaságú, jó minőségű lapkákból készül. Ezen lapkák minősége és ellátási kapacitása az iparágon belül közvetlenül kapcsolódik az integrált áramkörök által......

Olvass tovább

Milyen kihívásokkal jár a SiC gyártása?

A széles sávszélességű félvezető anyagok terén a szilícium-karbid (SiC) nagy tekintélyű anyaggá vált, különösen a nagy teljesítményű konverziós területen.

Olvass tovább

<...2 3 4 5 6...37 >