- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Ipari hírek
Tudsz szilícium-karbidot csiszolni?
A szilícium-karbid (SiC) kiváló fizikai-kémiai tulajdonságainak köszönhetően fontos alkalmazási területekkel rendelkezik olyan területeken, mint a teljesítményelektronika, a nagyfrekvenciás rádiófrekvenciás eszközök és a magas hőmérsékletnek ellenálló környezetek érzékelői. A SiC ostya feldolgozása ......
Olvass tovább
GaN vs SiC
Jelenleg számos anyag van vizsgálat alatt, amelyek közül a szilícium-karbid az egyik legígéretesebb. A GaN-hez hasonlóan magasabb üzemi feszültséggel, nagyobb áttörési feszültséggel és jobb vezetőképességgel büszkélkedhet a szilíciumhoz képest. Ezenkívül a szilícium-karbid magas hővezető képességéne......
Olvass tovább
Bevonat a félvezető szilícium egykristályok hőterében
A félvezető szilícium egykristályos forró mezőben lévő bevont részek általában CVD-módszerrel vannak bevonva, beleértve a pirolitikus szénbevonatot, a szilícium-karbid bevonatot és a tantál-karbid bevonatot, amelyek mindegyike eltérő tulajdonságokkal rendelkezik.
Olvass tovább
3 grafitformázási módszer
A grafitöntéshez a négy fő öntési módszer a következő: extrudálás, fröccsöntés, vibrációs öntés és izosztatikus öntés. A piacon kapható legtöbb szén- és grafitanyagot forró extrudálással és fröccsöntéssel (hideg vagy meleg) öntik, és az izosztatikus öntés a vezető fröccsöntési teljesítményű módszer.......
Olvass tovább
Bemutatkozik a fizikai gőzszállítás (PVT)
A SiC saját tulajdonságai határozzák meg, hogy az egykristály növekedése nehezebb. Az atmoszférikus nyomáson lévő Si:C=1:1 folyadékfázis hiánya miatt a félvezetőipar fő áramlata által alkalmazott érettebb növekedési folyamat nem használható az érettebb növekedési módszer – egyenes húzás módszer, a l......
Olvass tovább
Kvarc termékek félvezető alkalmazásokban
A félvezetőiparban a kvarcot széles körben használják, és a nagy tisztaságú kvarctermékek még fontosabb fogyóeszközök az ostyagyártásban. A szilícium egykristály tégelyek, kristálycsónakok, diffúziós kemence magcsövek és egyéb kvarc alkatrészek gyártásához nagy tisztaságú kvarcüveg termékeket kell h......
Olvass tovább
