A szilícium-karbid (SiC) epitaxia kulcsfontosságú technológia a félvezetők területén, különösen a nagy teljesítményű elektronikus eszközök fejlesztésében. A SiC egy összetett félvezető széles sávszélességgel, így ideális olyan alkalmazásokhoz, amelyek magas hőmérsékletű és nagyfeszültségű működést i......
Olvass továbbA félvezetők olyan anyagok, amelyek az elektromos tulajdonságokat irányítják a vezetők és a szigetelők között, az atommag legkülső rétegében az elektronok elvesztésének és erősödésének egyenlő valószínűségével, és könnyen PN átmenetekké alakíthatók. Mint például a "szilícium (Si)", "germánium (Ge)" ......
Olvass tovább