A SiC szubsztrátumnak lehetnek mikroszkopikus hibái, mint például a menetcsavar diszlokáció (TSD), a menetél diszlokáció (TED), az alapsík diszlokáció (BPD) és mások. Ezeket a hibákat az atomok atomi szintű elrendezésének eltérései okozzák. A SiC kristályoknak lehetnek makroszkópikus diszlokációi is......
Olvass továbbA kutatási eredmények szerint a TaC bevonat védő- és szigetelőrétegként szolgálhat a grafitkomponensek élettartamának meghosszabbítására, a radiális hőmérséklet egyenletességének javítására, a SiC szublimációs sztöchiometriájának fenntartására, a szennyeződések migrációjának visszaszorítására és az ......
Olvass tovább