> hírek > Ipari hírek

Ipari hírek

GaN Single Crystal

A félvezető-technológia a modern civilizáció gerincét képezi, alapvetően átalakítva életünket, munkánkat és a világgal való kölcsönhatásunkat. Példátlan előrelépéseket tett lehetővé különböző területeken, beleértve az információs technológiát, az energiát, a távközlést és az egészségügyet. Az okoste......

Olvass tovább

SiC kerámia: nélkülözhetetlen anyag a nagy pontosságú alkatrészekhez a félvezetőgyártásban

A félvezetőgyártás, a modern technológiai fejlődés sarokköve, folyamatosan törekszik a kisebb, gyorsabb és hatékonyabb integrált áramkörökre. Ez a könyörtelen törekvés egyre precízebb és kifinomultabb gyártási folyamatok iránti igényt eredményez, ahol minden lépés nagymértékben függ a nagy teljesítm......

Olvass tovább

Mi az a grafitosítási fok?

A grafitosodás mértéke alapvető mérőszám, amelyet annak felmérésére használnak, hogy a szénatomok milyen közel állnak a szorosan egymásra épülő hatszögletű grafitkristályszerkezet kialakításához.

Olvass tovább

Vékonyréteg-növekedési folyamat

A közönséges vékony filmeket főként három kategóriába sorolják: félvezető vékony filmek, dielektromos vékonyrétegek és fém/fém keverék vékonyrétegek.

Olvass tovább

A 3C-SiC heteroepitaxiája: áttekintés

A 3C-SiC, a szilícium-karbid jelentős politípusának kifejlesztése a félvezető anyagtudomány folyamatos fejlődését tükrözi. Az 1980-as években Nishino et al. először egy 4 μm vastag 3C-SiC filmet ért el szilícium hordozón kémiai gőzleválasztással (CVD)[1], megalapozva ezzel a 3C-SiC vékonyréteg-techn......

Olvass tovább

Monokristályos szilícium vs. polikristályos szilícium

Az egykristályos szilícium és a polikristályos szilícium mindegyikének megvannak a maga egyedi előnyei és alkalmazható forgatókönyvei. Az egykristályos szilícium kiváló elektromos és mechanikai tulajdonságai miatt alkalmas nagy teljesítményű elektronikai termékekhez és mikroelektronikához. A polikri......

Olvass tovább

<...5 6 7 8 9...22 >