A 3C-SiC, a szilícium-karbid jelentős politípusának kifejlesztése a félvezető anyagtudomány folyamatos fejlődését tükrözi. Az 1980-as években Nishino et al. először egy 4 μm vastag 3C-SiC filmet ért el szilícium hordozón kémiai gőzleválasztással (CVD)[1], megalapozva ezzel a 3C-SiC vékonyréteg-techn......
Olvass továbbAz egykristályos szilícium és a polikristályos szilícium mindegyikének megvannak a maga egyedi előnyei és alkalmazható forgatókönyvei. Az egykristályos szilícium kiváló elektromos és mechanikai tulajdonságai miatt alkalmas nagy teljesítményű elektronikai termékekhez és mikroelektronikához. A polikri......
Olvass továbbAz ostyakészítés folyamatában két fő láncszem van: az egyik a szubsztrát előkészítése, a másik az epitaxiális folyamat megvalósítása. A szubsztrát, egy félvezető egykristály anyagból gondosan elkészített ostya, közvetlenül felhasználható az ostyagyártási folyamatban félvezető eszközök gyártásának al......
Olvass továbbA szilícium anyag szilárd anyag, amely bizonyos elektromos félvezető tulajdonságokkal és fizikai stabilitással rendelkezik, és hordozót biztosít a későbbi integrált áramkör gyártási folyamatához. A szilícium alapú integrált áramkörök kulcsfontosságú anyaga. A félvezető eszközök több mint 95%-a és az......
Olvass továbbA szilícium-karbid szubsztrát egy összetett félvezető egykristály anyag, amely két elemből, szénből és szilíciumból áll. Jellemzői: nagy sávszélesség, nagy hővezető képesség, nagy kritikus áttörési térerősség és nagy elektrontelítési sodródási sebesség.
Olvass tovább