A forgácsgyártás vékonyréteg-leválasztási folyamatában gyakran együtt emlegetnek két technológiát, mégis alapvetően különböznek egymástól – az epitaxiás és a kémiai gőzleválasztásról. Olyanok, mint az unokatestvérek, mindkettő a "gőznövekedés" családjába tartozik, de eltérő tulajdonságokkal és erőss......
Olvass továbbA Chemical Vapor Deposition (CVD) SiC folyamattechnológia elengedhetetlen a nagy teljesítményű teljesítményelektronika gyártásához, amely lehetővé teszi a nagy tisztaságú szilícium-karbid rétegek precíz epitaxiális növekedését a szubsztrát lapkákon. A SiC széles sávszélességének és kiváló hővezető k......
Olvass továbbA különböző alkalmazási forgatókönyvek eltérő teljesítménykövetelményeket írnak elő a grafittermékekre vonatkozóan, így a pontos anyagválasztás a grafittermékek alkalmazásának alapvető lépése. Az alkalmazási forgatókönyveknek megfelelő teljesítményű grafit alkatrészek megválasztása nemcsak hatékonya......
Olvass továbbAz egykristály növekedési hőmező a hőmérséklet térbeli eloszlása a magas hőmérsékletű kemencében az egykristály növekedési folyamat során, amely közvetlenül befolyásolja az egykristály minőségét, növekedési sebességét és kristályképződési sebességét. A hőteret steady-state és tranziens típusokra o......
Olvass továbbA fejlett félvezetőgyártás több folyamatlépésből áll, beleértve a vékonyréteg-leválasztást, a fotolitográfiát, a maratot, az ionimplantációt és a kémiai mechanikai polírozást. A folyamat során a folyamat apró hibái is káros hatással lehetnek a végső félvezető chipek teljesítményére és megbízhatóságá......
Olvass tovább