Porózus grafittégely

A porózus grafittégely kritikus szerepet játszik a szilícium-karbid (SiC) egykristály-növekedési folyamatában, amely döntő lépés a félvezetőgyártásban. Ezt a speciális tégelyt úgy tervezték, hogy ellenálljon a szélsőséges hőmérsékleteknek és a kemény vegyi környezetnek, így ideális tartály a SiC kristálynövekedésben részt vevő magas hőmérsékletű reakciókhoz.

A tégely jellemzően nagy tisztaságú grafitanyagból készül, amely kiváló hővezető képességéről, kémiai tehetetlenségéről és mechanikai szilárdságáról ismert. A "porózus" kifejezés egy áteresztő szerkezet szándékos létrehozására utal a grafiton belül, amely lehetővé teszi a gázok és folyadékok szabályozott áramlását a kristálynövekedési folyamat során.

A szilícium-karbamid egykristály-növekedési folyamata a szilícium és a szénforrás anyagok magas hőmérsékletű kemencében történő szublimációját foglalja magában. A porózus grafittégely tartályként működik ezen alapanyagok számára, stabil és ellenőrzött környezetet biztosítva a kristálynövekedéshez. Porózus szerkezete lehetővé teszi a prekurzor gázok hatékony szállítását és megkönnyíti a növekedési folyamat során keletkező melléktermékek eltávolítását.

Az olvasztótégely stabilitásának megőrző képessége és az extrém körülményeknek ellenálló képessége elengedhetetlen a kiváló minőségű SiC egykristályok előállításához, amelyek a félvezető eszközök gyártásának szerves részét képezik. A tégely porozitása segít optimalizálni a gázáramlást és a hőelosztást, hozzájárulva a nagy és jó minőségű SiC kristályok egyenletes növekedéséhez.