SIC hordozó az ICP -hez

Úgy tervezték, hogy megfeleljen a modern induktív módon beillesztettplasma (ICP) és a lerakódási eszközök kompromisszumok nélküli igényeinek, az ICP -hez a Semicorexsic -bevont grafithordozó ritka egyensúlyt nyújt a plazma ellenálló képességének, a termikus pontosságnak és a mechanikai stabilitásnak. A lényege egy olyan szabadalmaztatott, kis tételű grafit szubsztrát, amelynek kristály orientációját szorosan szabályozza, hogy rendkívüli anizotróp viselkedést hozzon létre: a síkon belüli hővezetőképesség messze meghaladja a hagyományos izosztatikus fokozatokat, míg a sík átmenő útját szándékosan mérsékelték, hogy elnyomja az ostya meleg foltjait. Ez az irányított hőáram -kezelés biztosítja, hogy minden 150–300 mm -es ostyaon meghaljon egységes hőmérséklet -emelkedés és egyensúlyi egyensúlyi egyensúly, közvetlenül a szűkebb kritikus pontos (CD) eloszlásokhoz és a magasabb eszközhozamokhoz.

Ennek az ultraszéles grafitnak a köré tekercselve egy konformális szilícium -karbidréteg, amelyet egy nagy hőmérsékletű CVD kemencében tárolnak. A SIC bevonat - kreémián akár 2000 ° C -ig, és kevesebb, mint 0,1%-os mikroporitással büszkélkedhet - átjárhatatlan pajzsot készít a fluor-, klór- és bróm -gyökök ellen, amelyek a nagy sűrűségű ICP -vegyületekben közösek. A hosszú távú állóképességi tesztelés CF₄/O₂, Cl₂/BCL₃ és HBR/HE plazmákban az eróziós arányt 0,3 μmper100 óra alatt mutatta, és a hordozó szolgáltatási élettartamát jóval meghaladja az ipari normákon, és drasztikusan csökkenti a megelőző -alkatrész -leállást.

A dimenziós pontosság ugyanolyan kompromisszum nélküli: a felületi síkosságot ± 5 µm -en belül szabályozzák a teljes zsebelt területen, míg az élek kizárási tulajdonságai lézerrel felszereltek, hogy megvédjék az ostya kerületét a mikro -ívektől. A szoros tolerancia, a SIC bevonathoz közeli károsodási keménységével, ellenáll a részecské kialakulásának mechanikus szorítás és elektrosztatikus -kkolt kerékpározás alatt, a 10 NM csomópont folyamatainak megóvása a gyilkos hibák szennyeződésétől. A nagy teljesítményű ICP -reaktorok esetében a hordozó alacsony elektromos ellenállása (<40 Ω · m) elősegíti a gyors RF talaj sík stabilizálását, minimalizálva a hüvely -feszültség ingadozásait, amelyek egyébként képesek a fotoresistista profilokat vagy a mikromaszkot indukálni.

A Semicorex fuvarozók minden tétele átfogó metrológián megy keresztül - Raman feltérképezés a grafit kristálylográfiai igazítás igazolására, a SEM keresztmetszetének igazolására a SIC réteg integritásának megerősítésére, és a maradék GAS elemzés a PPM szintű szennyeződés küszöbértékeinek igazolására. Mivel ragaszkodunk a mikrokerület -előállításhoz (futásonként kevesebb mint 20 darab), a statisztikai folyamatvezérlő táblázatok kivételesen szorosak, lehetővé téve számunkra, hogy garantáljuk az ostya -WAFER reprodukálhatóságát, hogy a tömegmarket -beszállítók egyszerűen nem tudnak megfelelni. Az egyéni geometriák, a zsebmélység és a hátsó hűtőcsatornák három hétig tartó átfutási idővel kaphatók, felhatalmazó berendezések OEM -eket és nagymértékű FAB -kat a kamara receptjeinek optimalizálása érdekében anélkül, hogy a teljes hardvercsomagot átalakítanák.

Azáltal, hogy a világszínvonalú anizotróp grafitot egy hermetikus SIC páncélba egyesítik, a Semicorex SIC hordozó az ICP számára hosszú élettartamú, szennyezett és termikusan egységes platformot biztosít a FAB -k számára - ez nemcsak ellenáll a legkeményebb plazmakörnyezeteknek, hanem aktívan javítja a folyamatablakok szélességét és a szerszám -szintű teljesítményt. Azok a készülékgyártók számára, akik egyre szorosabb vonalszélességre, meredekebb profilokra és alacsonyabb tulajdonosi költségekre törekszenek, a választott hordozó, ahol minden mikron, minden ostya és minden órás órás száma számít.