A SiC bevonat egy vékony réteg a szuszceptorra a kémiai gőzlerakódás (CVD) eljárás révén. A szilícium-karbid anyag számos előnnyel rendelkezik a szilíciummal szemben, beleértve a 10-szeres áttörési elektromos térerőt, a 3-szoros sávközt, amely magas hőmérséklet- és vegyszerállóságot, kiváló kopásállóságot, valamint hővezető képességet biztosít az anyagnak.
A Semicorex személyre szabott szolgáltatást nyújt, segít az innovációban hosszabb élettartamú alkatrészekkel, csökkenti a ciklusidőket és javítja a hozamot.
A SiC bevonat számos egyedi előnnyel rendelkezik
Magas hőmérséklettel szembeni ellenállás: A CVD SiC bevonatú szuszceptor akár 1600 °C-ig is ellenáll a magas hőmérsékletnek anélkül, hogy jelentős hődegradáción menne keresztül.
Vegyi ellenállás: A szilícium-karbid bevonat kiváló ellenállást biztosít számos vegyszerrel szemben, beleértve a savakat, lúgokat és szerves oldószereket.
Kopásállóság: A SiC bevonat kiváló kopásállóságot biztosít az anyagnak, így alkalmas a nagy kopással járó alkalmazásokhoz.
Hővezetőképesség: A CVD SiC bevonat magas hővezető képességet biztosít az anyagnak, így alkalmas magas hőmérsékletű, hatékony hőátadást igénylő alkalmazásokhoz.
Nagy szilárdság és merevség: A szilícium-karbid bevonatú szuszceptor nagy szilárdságot és merevséget biztosít az anyagnak, így alkalmas a nagy mechanikai szilárdságot igénylő alkalmazásokhoz.
A SiC bevonatot különféle alkalmazásokban használják
LED gyártás: A CVD SiC bevonatú szuszceptort különféle LED-típusok, köztük kék és zöld LED, UV LED és mély-UV LED gyártásánál használják, magas hővezető képessége és vegyszerállósága miatt.
Mobil kommunikáció: A CVD SiC bevonatú szuszceptor a HEMT kulcsfontosságú része a GaN-on-SiC epitaxiális folyamat befejezéséhez.
Félvezető feldolgozás: A CVD SiC bevonatú szuszceptort a félvezetőiparban használják különféle alkalmazásokhoz, beleértve az ostyafeldolgozást és az epitaxiális növekedést.
SiC bevonatú grafit alkatrészek
Szilícium-karbid bevonat (SiC) grafitból készült, a bevonatot CVD-módszerrel hordják fel bizonyos típusú nagy sűrűségű grafitokra, így a magas hőmérsékletű kemencében 3000 °C felett, inert atmoszférában, 2200 °C-on vákuumban működhet. .
Az anyag különleges tulajdonságai és kis tömege gyors felfűtést, egyenletes hőmérséklet-eloszlást és kiemelkedő vezérlési pontosságot tesz lehetővé.
A Semicorex SiC bevonat anyagadatai
Tipikus tulajdonságok |
Egységek |
Értékek |
Szerkezet |
|
FCC β fázis |
Tájolás |
töredék (%) |
111 előnyben |
Térfogatsűrűség |
g/cm³ |
3.21 |
Keménység |
Vickers keménység |
2500 |
Hőkapacitás |
J kg-1 K-1 |
640 |
Hőtágulás 100–600 °C (212–1112 °F) |
10-6K-1 |
4.5 |
Young's Modulus |
Gpa (4 pont kanyar, 1300 ℃) |
430 |
Szemcseméret |
μm |
2~10 |
Szublimációs hőmérséklet |
℃ |
2700 |
Felexurális Erő |
MPa (RT 4 pontos) |
415 |
Hővezetőképesség |
(W/mK) |
300 |
Következtetés A CVD SiC bevonatú szuszceptor egy kompozit anyag, amely egyesíti a szuszceptor és a szilícium-karbid tulajdonságait. Ez az anyag egyedülálló tulajdonságokkal rendelkezik, beleértve a magas hőmérséklet- és vegyszerállóságot, kiváló kopásállóságot, magas hővezető képességet, valamint nagy szilárdságot és merevséget. Ezek a tulajdonságok vonzó anyaggá teszik különféle magas hőmérsékletű alkalmazásokhoz, beleértve a félvezető-feldolgozást, vegyi feldolgozást, hőkezelést, napelemgyártást és LED-gyártást.
A Semicorex bemutatja SiC Disc Susceptor-ját, amelyet az epitaxiás, fémszerves kémiai gőzleválasztási (MOCVD) és gyors hőfeldolgozási (RTP) berendezések teljesítményének növelésére terveztek. Az aprólékosan megtervezett SiC Disc Susceptor olyan tulajdonságokkal rendelkezik, amelyek kiváló teljesítményt, tartósságot és hatékonyságot garantálnak magas hőmérsékletű és vákuum környezetben.**
Olvass továbbKérdés küldéseA Semicorex minőség és innováció iránti elkötelezettsége nyilvánvaló a SiC MOCVD burkolat szegmensében. Megbízható, hatékony és jó minőségű SiC epitaxia lehetővé tételével létfontosságú szerepet játszik a következő generációs félvezető eszközök képességeinek fejlesztésében.**
Olvass továbbKérdés küldéseA Semicorex SiC MOCVD belső szegmens nélkülözhetetlen fogyóeszköz a szilícium-karbid (SiC) epitaxiális lapkák gyártásához használt fém-szerves kémiai gőzleválasztási (MOCVD) rendszerekben. Pontosan úgy tervezték, hogy ellenálljon a szilícium-karbid epitaxia szigorú körülményeinek, biztosítva az optimális folyamatteljesítményt és kiváló minőségű SiC epilayereket.**
Olvass továbbKérdés küldéseA Semicorex SiC ALD Susceptor számos előnnyel rendelkezik az ALD folyamatokban, beleértve a magas hőmérsékleti stabilitást, a fokozott film egyenletességét és minőségét, a jobb folyamat hatékonyságát és a szuszceptor meghosszabbítását. Ezek az előnyök a SiC ALD Susceptort értékes eszközzé teszik a nagy teljesítményű vékonyrétegek előállításához különféle igényes alkalmazásokban.**
Olvass továbbKérdés küldéseA Semicorex ALD Planetary Susceptor fontos az ALD berendezésekben, mivel képesek ellenállni a zord feldolgozási körülményeknek, és kiváló minőségű filmlerakást biztosítanak különféle alkalmazásokhoz. Ahogy a kisebb méretű és nagyobb teljesítményű fejlett félvezető eszközök iránti kereslet folyamatosan növekszik, az ALD Planetary Susceptor alkalmazása az ALD-ben várhatóan tovább fog bővülni.**
Olvass továbbKérdés küldéseA Semicorex szilícium talapzat, egy gyakran figyelmen kívül hagyott, mégis kritikusan fontos komponens, létfontosságú szerepet játszik a félvezető diffúziós és oxidációs folyamatokban a precíz és megismételhető eredmények elérésében. A speciális platform, amelyen a szilícium csónakok magas hőmérsékletű kemencékben nyugszanak, egyedülálló előnyöket kínál, amelyek közvetlenül hozzájárulnak a hőmérséklet egyenletesebbé tételéhez, a lapkák minőségének javításához, és végső soron a félvezető eszközök kiváló teljesítményéhez.**
Olvass továbbKérdés küldése