A SiC bevonat egy vékony réteg a szuszceptorra a kémiai gőzlerakódás (CVD) eljárás révén. A szilícium-karbid anyag számos előnnyel rendelkezik a szilíciummal szemben, beleértve a 10-szeres áttörési elektromos térerőt, a 3-szoros sávközt, amely magas hőmérséklet- és vegyszerállóságot, kiváló kopásállóságot, valamint hővezető képességet biztosít az anyagnak.
A Semicorex személyre szabott szolgáltatást nyújt, segít az innovációban hosszabb élettartamú alkatrészekkel, csökkenti a ciklusidőket és javítja a hozamot.
A SiC bevonat számos egyedi előnnyel rendelkezik
Magas hőmérséklettel szembeni ellenállás: A CVD SiC bevonatú szuszceptor akár 1600 °C-ig is ellenáll a magas hőmérsékletnek anélkül, hogy jelentős hődegradáción menne keresztül.
Vegyi ellenállás: A szilícium-karbid bevonat kiváló ellenállást biztosít számos vegyszerrel szemben, beleértve a savakat, lúgokat és szerves oldószereket.
Kopásállóság: A SiC bevonat kiváló kopásállóságot biztosít az anyagnak, így alkalmas a nagy kopással járó alkalmazásokhoz.
Hővezetőképesség: A CVD SiC bevonat magas hővezető képességet biztosít az anyagnak, így alkalmas magas hőmérsékletű, hatékony hőátadást igénylő alkalmazásokhoz.
Nagy szilárdság és merevség: A szilícium-karbid bevonatú szuszceptor nagy szilárdságot és merevséget biztosít az anyagnak, így alkalmas a nagy mechanikai szilárdságot igénylő alkalmazásokhoz.
A SiC bevonatot különféle alkalmazásokban használják
LED gyártás: A CVD SiC bevonatú szuszceptort különféle LED-típusok, köztük kék és zöld LED, UV LED és mély-UV LED gyártásánál használják, magas hővezető képessége és vegyszerállósága miatt.
Mobil kommunikáció: A CVD SiC bevonatú szuszceptor a HEMT kulcsfontosságú része a GaN-on-SiC epitaxiális folyamat befejezéséhez.
Félvezető feldolgozás: A CVD SiC bevonatú szuszceptort a félvezetőiparban használják különféle alkalmazásokhoz, beleértve az ostyafeldolgozást és az epitaxiális növekedést.
SiC bevonatú grafit alkatrészek
Szilícium-karbid bevonat (SiC) grafitból készült, a bevonatot CVD-módszerrel hordják fel bizonyos típusú nagy sűrűségű grafitokra, így a magas hőmérsékletű kemencében 3000 °C felett, inert atmoszférában, 2200 °C-on vákuumban működhet. .
Az anyag különleges tulajdonságai és kis tömege gyors felfűtést, egyenletes hőmérséklet-eloszlást és kiemelkedő vezérlési pontosságot tesz lehetővé.
A Semicorex SiC bevonat anyagadatai
Tipikus tulajdonságok |
Egységek |
Értékek |
Szerkezet |
|
FCC β fázis |
Tájolás |
töredék (%) |
111 előnyben |
Térfogatsűrűség |
g/cm³ |
3.21 |
Keménység |
Vickers keménység |
2500 |
Hőkapacitás |
J kg-1 K-1 |
640 |
Hőtágulás 100–600 °C (212–1112 °F) |
10-6K-1 |
4.5 |
Young's Modulus |
Gpa (4 pont kanyar, 1300 ℃) |
430 |
Szemcseméret |
μm |
2~10 |
Szublimációs hőmérséklet |
℃ |
2700 |
Felexurális Erő |
MPa (RT 4 pontos) |
415 |
Hővezetőképesség |
(W/mK) |
300 |
Következtetés A CVD SiC bevonatú szuszceptor egy kompozit anyag, amely egyesíti a szuszceptor és a szilícium-karbid tulajdonságait. Ez az anyag egyedülálló tulajdonságokkal rendelkezik, beleértve a magas hőmérséklet- és vegyszerállóságot, kiváló kopásállóságot, magas hővezető képességet, valamint nagy szilárdságot és merevséget. Ezek a tulajdonságok vonzó anyaggá teszik különféle magas hőmérsékletű alkalmazásokhoz, beleértve a félvezető-feldolgozást, vegyi feldolgozást, hőkezelést, napelemgyártást és LED-gyártást.
A Semicorex LPE Halfmoon Reaction Chamber nélkülözhetetlen a SiC epitaxia hatékony és megbízható működéséhez, amely biztosítja a kiváló minőségű epitaxiális rétegek előállítását, miközben csökkenti a karbantartási költségeket és növeli a működési hatékonyságot. **
Olvass továbbKérdés küldéseAz Aixtron G5 számára készült Semicorex 6 hüvelykes ostyahordozó számos előnyt kínál az Aixtron G5 berendezésekben való használatra, különösen a magas hőmérsékletű és nagy pontosságú félvezetőgyártási folyamatokban.**
Olvass továbbKérdés küldéseA Semicorex Epitaxy Wafer Carrier rendkívül megbízható megoldást kínál az Epitaxy alkalmazásokhoz. A fejlett anyagok és bevonat technológia biztosítja, hogy ezek a hordozók kiemelkedő teljesítményt nyújtsanak, csökkentve a működési költségeket és a karbantartás vagy csere miatti állásidőt.**
Olvass továbbKérdés küldéseA Semicorex wafer szuszceptort kifejezetten a félvezető epitaxiás folyamathoz tervezték. Létfontosságú szerepet játszik az ostyakezelés pontosságának és hatékonyságának biztosításában. A kínai félvezetőipar vezető vállalata vagyunk, és elkötelezettek vagyunk amellett, hogy a legjobb termékeket és szolgáltatásokat nyújtsuk Önnek.*
Olvass továbbKérdés küldéseA Semicorex ostyatartó kritikus eleme a félvezetőgyártásnak, és kulcsszerepet játszik az ostyák pontos és hatékony kezelésében az epitaxiás folyamat során. Szilárdan elkötelezettek vagyunk amellett, hogy a legjobb minőségű termékeket kínáljuk versenyképes áron, és alig várjuk, hogy vállalkozást indíthassunk Önnel.*
Olvass továbbKérdés küldéseA Semicorex SiC Coating Ring kritikus eleme a félvezető epitaxiás folyamatok igényes környezetének. Kitartó elkötelezettségünkkel a csúcsminőségű termékeket versenyképes áron kínáljuk, ezért készen állunk arra, hogy az Ön hosszú távú partnerévé váljunk Kínában.*
Olvass továbbKérdés küldése