TaC bevonatú grafittégely

A Semicorex Tantál Carbide TaC bevonatú grafittégelyt úgy tervezték, hogy tökéletes védőréteget biztosítson, biztosítva a tisztaságot és a stabilitást a legigényesebb "forró zónákban". A Wide Bandgap (WBG) félvezetők, különösen a szilícium-karbid (SiC) és a gallium-nitrid (GaN) gyártása során a feldolgozási környezet hihetetlenül agresszív. A szabványos grafit vagy akár SiC bevonatú alkatrészek gyakran meghibásodnak, ha 2000 °C-ot meghaladó hőmérsékletnek és korrozív gőzfázisoknak vannak kitéve.

MiértTaC bevonataz Ipari Gold Standard

 A tantál-karbid a TaC bevonatú grafittégely fő anyaga. A grafittégely az egyik legtűzállóbb anyag, amelyet az ember ismer, olvadáspontja körülbelül 3880 °C. Sűrű, nagy tisztaságú bevonatként Chemical Vapor Deposition (CVD) segítségével egy kiváló minőségű grafit szubsztrátumra felhordva egy szabványos tégelyt egy nagy teljesítményű edényré alakít, amely képes ellenállni a legkeményebb epitaxiális és kristálynövekedési körülményeknek.

1. Páratlan kémiai ellenállás hidrogénnel és ammóniával szemben

Az olyan eljárásokban, mint a GaN MOCVD vagy a SiC Epitaxy, a hidrogén és az ammónia jelenléte gyorsan erodálhatja a nem védett grafitot vagy akár a szilícium-karbid bevonatokat. A TaC egyedülállóan közömbös ezekkel a gázokkal szemben magas hőmérsékleten. Ez megakadályozza a „szénporosodást” – a szénrészecskék kibocsátását a folyamatáramba –, amely a kristályhibák és a tétel meghibásodásának elsődleges oka.

2. Kiváló termikus stabilitás a PVT növekedéséhez

A fizikai gőzszállítás (PVT) esetében – a szilícium-karbid bugák termesztésének elsődleges módszere – az üzemi hőmérséklet gyakran 2200 °C és 2500 °C között mozog. Ezeken a szinteken a hagyományos SiC bevonatok szublimálódnak. A TaC bevonat szerkezetileg szilárd és kémiailag stabil marad, egyenletes növekedési környezetet biztosítva, amely jelentősen csökkenti a mikrocsövek és elmozdulások előfordulását a keletkező ingotban.

3. Precíziós CTE illesztés és tapadás

A bevonattechnológia egyik legnagyobb kihívása a hőciklus során a rétegvesztés (hámlás) megakadályozása. A szabadalmaztatott CVD eljárásunk biztosítja, hogy a tantál-karbid réteg kémiailag kötődjön a grafit hordozóhoz. A TaC réteghez szorosan illeszkedő hőtágulási együtthatóval (CTE) rendelkező grafitminőségek kiválasztásával biztosítjuk, hogy a tégely több száz gyors fűtési és hűtési ciklust képes túlélni repedés nélkül.

Legfontosabb alkalmazások a következő generációs félvezetőkben

A miénkTaC bevonattalA Graphite Crucible megoldásokat kifejezetten a következőkre tervezték:

SiC ingot Growth (PVT): A szilíciumban gazdag gőzreakciók minimalizálása a tégely falával a stabil C/Si arány fenntartása érdekében.

GaN Epitaxy (MOCVD): Megvédi a szuszceptorokat és a tégelyeket az ammónia által kiváltott korróziótól, biztosítva az epi-réteg legmagasabb elektromos tulajdonságait.

Magas hőmérsékletű izzítás: Tiszta, nem reakcióképes edényként szolgál ostyák feldolgozásához 1800 °C feletti hőmérsékleten.

Hosszú élettartam és megtérülés: túl a kezdeti költségeken

A beszerzési csoportok gyakran összehasonlítják a TaC és a SiC bevonatok költségeit. Míg a TaC magasabb előzetes befektetést jelent, a teljes tulajdonlási költség (TCO) jelentősen felülmúlja a magas hőmérsékletű alkalmazásokban.

Megnövelt hozam: Kevesebb szénzárvány több "Prime Grade" ostyát jelent ingonként.

Meghosszabbított alkatrészélettartam: TaC tégelyeink jellemzően 2-3-szor bírják a SiC bevonatú változatokat PVT környezetben.

Csökkentett szennyeződés: A közel nulla gázkibocsátás nagyobb mobilitást és hordozókoncentráció-konzisztenciát eredményez a tápegységekben.