TaC bevonatú tégely

A Semicorex TaC bevonatú tégely legfontosabb előnyei a félvezető kristálynövekedésben:

Ultra-nagy tisztaság a kiváló kristályminőségért:A nagy tisztaságú izosztatikus grafit és a kémiailag inert TaC bevonat kombinációja minimálisra csökkenti a szennyeződések olvadékba való kimosódásának kockázatát. Ez rendkívül fontos a nagy teljesítményű félvezető eszközökhöz szükséges kivételes anyagtisztaság eléréséhez.

Pontos hőmérséklet-szabályozás a kristályegyenletesség érdekében:Az izosztatikus grafit egységes termikus tulajdonságai, amelyet a TaC bevonat javít, lehetővé teszik a pontos hőmérsékletszabályozást az olvadékban. A TaC-bevonatú tégely egységessége döntő fontosságú a kristályosodási folyamat szabályozásában, a hibák minimalizálásában és a homogén elektromos tulajdonságok elérésében a termesztett kristályon.

A tégely meghosszabbított élettartama a jobb folyamatgazdaságosság érdekében:A robusztus TaC bevonat kivételesen ellenáll a kopásnak, a korróziónak és a hősokknak, jelentősen meghosszabbítva a TaC-Coating Crucible élettartamát a bevonat nélküli alternatívákhoz képest. Ez kevesebb tégelycserét, kevesebb állásidőt és jobb általános folyamatgazdaságot jelent.

Speciális félvezető alkalmazások engedélyezése:

A fejlett TaC-bevonatú tégely egyre inkább elterjedt a következő generációs félvezető anyagok növekedésében:

Összetett félvezetők:A TaC-bevonatú tégely által biztosított ellenőrzött környezet és kémiai kompatibilitás elengedhetetlen az összetett, összetett félvezetők, például a gallium-arzenid (GaAs) és az indium-foszfid (InP) növekedéséhez, amelyeket a nagyfrekvenciás elektronikában, optoelektronikában és más igényes alkalmazásokban használnak. .

Magas olvadáspontú anyagok:A TaC-bevonatú tégely kivételes hőállósága ideálissá teszi a magas olvadáspontú félvezető anyagok, köztük a szilícium-karbid (SiC) és a gallium-nitrid (GaN) növekedéséhez, amelyek forradalmasítják a teljesítményelektronikát és más nagy teljesítményű alkalmazásokat.