TaC bevonat talapzattartó

Ugyanígy meg kell jegyezni a talapzattartó jelentőségét a gázáramlás szabályozásában. Az epitaxiális lerakódás folyamatának kulcsfontosságú szempontja az ostya teljes felületén áramló technológiai gázok egyenletességének biztosítása, hogy egyenletes rétegnövekedést érjünk el. A TaC bevonatú talapzattartó precízen megmunkált gázáramlási csatornák és geometriák szabályozására szolgál, ami segít a folyamatban lévő gázok zökkenőmentesen és egyenletesen a reakciózónába irányítani. A lamináris áramlás szabályozásával a turbulencia minimálisra csökken, a holt zónák megszűnnek, és stabilabb gázkörnyezet jön létre. Mindez hozzájárul a kiváló rétegvastagság egyenletességéhez és jobb epitaxiális minőséghez.

A tantál-karbid az egyik legtűzállóbb és kémiailag inert anyag, amely 3800 °C feletti olvadásponttal rendelkezik, és kiválóan ellenáll a korróziónak és az eróziónak. Amikor CVD-t használnak a gyártáshozTaC bevonatokA végeredmény egy sima, sűrű bevonat, amely megvédi a grafit hordozót a magas hőmérsékletű oxidációtól, az ammónia korróziótól és a fém-szerves prekurzor reakciótól. Hosszan tartó korrozív gázoknak való kitettség vagy epitaxiális folyamatokkal járó extrém hőciklus esetén a talapzattartó kitart, megőrzi szerkezeti és kémiai stabilitását.

A több kritikus funkciót ellátó CVD TaC bevonat védőgátként működik, megakadályozva, hogy a grafitbevonatból és a szubsztrátumból származó esetleges szénszennyeződés bejusson a reaktor környezetébe vagy az ostyára. Másodszor, kémiai tehetetlenséget biztosít, tiszta és stabil felületet tart fenn mind oxidáló, mind redukáló atmoszférában. Ez megakadályozza a nemkívánatos reakciókat a folyamat gázai és a reaktor hardvere között, biztosítva, hogy a gázfázis kémiája szabályozott maradjon, és a film egyenletessége megmaradjon.

Ugyanígy meg kell jegyezni a talapzattartó jelentőségét a gázáramlás szabályozásában. Az epitaxiális lerakódás folyamatának kulcsfontosságú szempontja az ostya teljes felületén áramló technológiai gázok egyenletességének biztosítása, hogy egyenletes rétegnövekedést érjünk el. A TaC bevonatú talapzattartó precízen megmunkált gázáramlási csatornák és geometriák szabályozására szolgál, ami segít a folyamatban lévő gázok zökkenőmentesen és egyenletesen a reakciózónába irányítani. A lamináris áramlás szabályozásával a turbulencia minimálisra csökken, a holt zónák megszűnnek, és stabilabb gázkörnyezet jön létre. Mindez hozzájárul a kiváló rétegvastagság egyenletességéhez és jobb epitaxiális minőséghez.

ATaC bevonatmagas hővezető képességet és emissziót biztosít, ami lehetővé teszi a talapzattartó számára is, hogy hatékonyan vezesse és sugározza ki a hőt. Ez azt is eredményezi, hogy a szuszceptor és az ostya általános hőmérséklete egyenletesebb lesz, alacsonyabb hőmérsékleti gradiensekkel, ami kisebb eltérést okoz a kristálynövekedésben. Ezenkívül a TaC kivételes oxidációs ellenállást kínál, amely biztosítja, hogy az emissziós tényező állandó maradjon a hosszú távú műveletek során, biztosítva a pontos hőmérséklet-kalibrálást és az ismételhető folyamatteljesítményt.

A TaC bevonatú talapzattartó nagy mechanikai tartóssággal rendelkezik, ami meghosszabbítja az élettartamot. A CVD bevonási eljárás konkrétan szilárd molekuláris kötést hoz létre a TaC réteg és a grafit szubsztrát között, hogy megakadályozza a rétegvesztést, repedést vagy hámlást a termikus igénybevétel miatt. Ezért ez egy olyan alkatrész, amely több száz magas hőmérsékletű ciklusból profitál, degradáció nélkül.