Tantál-karbid alkatrész

A Semicorex Tantalum Carbide Part egy speciális grafit alkatrész robusztus TaC bevonattal, amelyet kifejezetten a szilícium-karbid (SiC) kristálynövekedési alkalmazásokban való nagy teljesítményű felhasználásra terveztek. Ezt az alkatrészt úgy tervezték, hogy megfeleljen a szilícium-karbid kristálygyártással kapcsolatos magas hőmérsékletű környezet szigorú követelményeinek, és a tartósság, a kémiai stabilitás és a fokozott hőállóság kombinációját kínálja.

A szilícium-karbid (SiC) gyártási folyamatában a tantál-karbid rész döntő szerepet játszik a kristálynövekedési szakaszokban, ahol elengedhetetlen a stabil hőmérsékletszabályozás és a nagy tisztaságú környezet. A SiC kristályok növekedéséhez olyan anyagokra van szükség, amelyek ellenállnak a szélsőséges hőmérsékleteknek és a korrozív környezetnek anélkül, hogy veszélyeztetnék a szerkezeti integritást vagy szennyeznék a növekvő kristályt. A TaC bevonatú grafit alkatrészek egyedi tulajdonságaik miatt kiválóan alkalmasak erre a feladatra, lehetővé téve a hődinamika precíz szabályozását és hozzájárulva az optimális SiC kristályminőséghez.

A tantál-karbid bevonat előnyei:

Magas hőmérsékleti ellenállás:A tantál-karbid olvadáspontja 3800°C feletti, így az egyik leghőállóbb bevonat. Ez a magas hőtűrés felbecsülhetetlen a SiC növekedési folyamatokban, ahol elengedhetetlen az állandó hőmérséklet.

Kémiai stabilitás:A TaC erősen ellenáll a reaktív vegyszereknek magas hőmérsékleten, csökkenti a szilícium-karbid anyagokkal való lehetséges kölcsönhatásokat és megakadályozza a nem kívánt szennyeződéseket.

Fokozott tartósság és élettartam:A TaC bevonat jelentősen meghosszabbítja az alkatrész élettartamát azáltal, hogy kemény, védőréteget képez a grafit felületén. Ez meghosszabbítja az élettartamot, minimalizálja a karbantartási gyakoriságot és csökkenti az állásidőt, végső soron optimalizálva a termelés hatékonyságát.

Hőütésállóság:A tantál-karbid megőrzi stabilitását még gyors hőmérséklet-változások mellett is, ami létfontosságú a SiC kristálynövekedési szakaszokban, ahol gyakori a szabályozott hőmérséklet-ingadozás.

Alacsony szennyeződési potenciál:Az anyagtisztaság megőrzése kulcsfontosságú a kristálygyártás során, hogy a vég SiC kristályok hibamentesek legyenek. A TaC inert természete megakadályozza a nem kívánt kémiai reakciókat vagy a szennyeződést, megóvva a kristálynövekedési környezetet.

Műszaki adatok:

Alapanyag:Nagy tisztaságú grafit, precíziós megmunkálás a méretpontosság érdekében.

Bevonat anyaga:Tantál-karbid (TaC), amelyet fejlett kémiai gőzleválasztási (CVD) technikákkal alkalmaznak.

Működési hőmérséklet tartomány:Akár 3800°C hőmérsékletet is képes ellenállni.

Méretek:Testreszabható, hogy megfeleljen a speciális kemence követelményeknek.

Tisztaság:Nagy tisztaságú, hogy minimális kölcsönhatást biztosítson a SiC anyagokkal a növekedés során.

A Semicorex Tantál Carbide Part kiemelkedik kiváló termikus és kémiai ellenálló képességével, amelyet kifejezetten SiC kristálynövekedési alkalmazásokhoz szabtak. A kiváló minőségű TaC bevonatú alkatrészek beépítésével segítjük ügyfeleinket a kiváló kristályminőség, a jobb termelési hatékonyság és a csökkentett működési költségek elérésében. Bízzon a Semicorex szakértelmében, hogy iparágvezető megoldásokat kínáljon minden félvezető-gyártási igényére.