Barrel Susceptor Epi rendszer LPE epitaxiához

A Semicorex Barrel Susceptor Epi System for LPE Epitaxy egy kiváló minőségű termék, amely kiváló bevonattapadást, nagy tisztaságot és magas hőmérsékletű oxidációval szembeni ellenállást kínál. Egyenletes termikus profilja, lamináris gázáramlási mintája és a szennyeződés megakadályozása ideális választássá teszik az ostya chipek epixiális rétegeinek növekedéséhez. Költséghatékonysága és testreszabhatósága rendkívül versenyképes termékké teszi a piacon.

Kérdés küldése

termékleírás

A Barrel Susceptor Epi System for LPE Epitaxy egy rendkívül innovatív termék, amely kiváló hőteljesítményt, egyenletes hőprofilt és kiváló bevonattapadást kínál. Nagy tisztasága, magas hőmérsékletű oxidációval szembeni ellenállása és korrózióállósága rendkívül megbízható termékké teszi a félvezetőiparban. A szennyeződések és szennyeződések megelőzése, valamint az alacsony karbantartási igény miatt rendkívül versenyképes termék a piacon.

A Semicorexnél arra összpontosítunk, hogy kiváló minőségű, költséghatékony termékeket biztosítsunk ügyfeleinknek. Az LPE Epitaxyhoz készült Barrel Susceptor Epi rendszerünk árelőnnyel rendelkezik, és számos európai és amerikai piacra exportálják. Célunk, hogy az Ön hosszú távú partnere legyünk, állandó minőségű termékeket és kivételes ügyfélszolgálatot biztosítva.

Lépjen kapcsolatba velünk még ma, ha többet szeretne megtudni az LPE Epitaxyhoz készült Barrel Susceptor Epi rendszerünkről.

A Barrel Susceptor Epi rendszer paraméterei az LPE epitaxiához

A CVD-SIC bevonat főbb specifikációi
SiC-CVD tulajdonságai
Kristályos szerkezet	FCC Î² fázis
Sűrűség	g/cm³	3.21
Keménység	Vickers keménység	2500
Szemcseméret	Î¼m	2~10
Kémiai tisztaság	%	99.99995
Hőkapacitás	J·kg-1 ·K-1	640
Szublimációs hőmérséklet	℃	2700
Felexurális Erő	MPa (RT 4 pontos)	415
Young's Modulus	Gpa (4 pt kanyar, 1300º)	430
Hőtágulás (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Hővezető	(W/mK)	300

A Barrel Susceptor Epi rendszer jellemzői az LPE epitaxiához

- Mind a grafit szubsztrát, mind a szilícium-karbid réteg jó sűrűségű, és jó védő szerepet játszhat magas hőmérsékleten és korrozív munkakörnyezetben.

- Az egykristály növesztéshez használt szilícium-karbid bevonatú szuszceptor nagyon magas felületi síksággal rendelkezik.

- Csökkentse a hőtágulási együttható különbségét a grafit szubsztrát és a szilícium-karbid réteg között, hatékonyan javítja a kötési szilárdságot a repedés és a rétegvesztés megakadályozása érdekében.

- Mind a grafit szubsztrát, mind a szilícium-karbid réteg magas hővezető képességgel és kiváló hőelosztási tulajdonságokkal rendelkezik.

- Magas olvadáspont, magas hőmérsékletű oxidációállóság, korrózióállóság.