Hordós vevő Epi rendszer

A Semicorex Barrel Susceptor Epi System egy kiváló minőségű termék, amely kiváló bevonattapadást, nagy tisztaságot és magas hőmérsékletű oxidációállóságot kínál. Egyenletes termikus profilja, lamináris gázáramlási mintája és a szennyeződés megakadályozása ideális választássá teszik az ostya chipek epixiális rétegeinek növekedéséhez. Költséghatékonysága és testreszabhatósága rendkívül versenyképes termékké teszi a piacon.

Kérdés küldése

termékleírás

A Barrel Susceptor Epi rendszerünk egy rendkívül innovatív termék, amely kiváló hőteljesítményt, egyenletes hőprofilt és kiváló bevonattapadást kínál. Nagy tisztasága, magas hőmérsékletű oxidációval szembeni ellenállása és korrózióállósága rendkívül megbízható termékké teszi a félvezetőiparban. A szennyeződések és szennyeződések megelőzése, valamint az alacsony karbantartási igény miatt rendkívül versenyképes termék a piacon.
A Semicorexnél arra összpontosítunk, hogy kiváló minőségű, költséghatékony termékeket biztosítsunk ügyfeleinknek. A Barrel Susceptor Epi rendszerünk árelőnnyel rendelkezik, és számos európai és amerikai piacra exportálják. Célunk, hogy az Ön hosszú távú partnere legyünk, állandó minőségű termékeket és kivételes ügyfélszolgálatot biztosítva.
Lépjen kapcsolatba velünk még ma, ha többet szeretne megtudni a Barrel Susceptor Epi rendszerünkről.

A Barrel Susceptor Epi rendszer paraméterei

A CVD-SIC bevonat főbb specifikációi
SiC-CVD tulajdonságai
Kristályszerkezet	FCC β fázis
Sűrűség	g/cm³	3.21
Keménység	Vickers keménység	2500
Szemcseméret	μm	2~10
Kémiai tisztaság	%	99.99995
Hőkapacitás	J kg-1 K-1	640
Szublimációs hőmérséklet	℃	2700
Felexurális Erő	MPa (RT 4 pontos)	415
Young's Modulus	Gpa (4 pont kanyar, 1300 ℃)	430
Hőtágulás (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Hővezetőképesség	(W/mK)	300

A Barrel Susceptor Epi rendszer jellemzői

- Mind a grafit szubsztrát, mind a szilícium-karbid réteg jó sűrűségű, és jó védő szerepet játszhat magas hőmérsékleten és korrozív munkakörnyezetben.

- Az egykristály növesztéshez használt szilícium-karbid bevonatú szuszceptor nagyon magas felületi síksággal rendelkezik.

- Csökkentse a hőtágulási együttható különbségét a grafit szubsztrát és a szilícium-karbid réteg között, hatékonyan javítja a kötési szilárdságot a repedés és a rétegvesztés megakadályozása érdekében.

- Mind a grafit szubsztrát, mind a szilícium-karbid réteg magas hővezető képességgel és kiváló hőelosztási tulajdonságokkal rendelkezik.

- Magas olvadáspont, magas hőmérsékletű oxidációállóság, korrózióállóság.