CVD SiC bevonatú hordó szuszceptor

A Semicorex CVD SiC bevonatú hordó szuszceptor egy aprólékosan megtervezett alkatrész, amelyet a fejlett félvezetőgyártási folyamatokhoz, különösen az epitaxiához szabtak. A precizitással és innovációval megépített CVD SiC bevonatú hordó szuszceptort úgy tervezték, hogy elősegítse a félvezető anyagok epitaxiális növekedését ostyákon, páratlan hatékonysággal és megbízhatósággal.

A CVD SiC Coated Barrel Susceptor magban egy robusztus grafitszerkezet található, amely kivételes hővezető képességéről és mechanikai szilárdságáról híres. Ez a grafit alap a szuszceptor szilárd alapjaként szolgál, stabilitást és hosszú élettartamot biztosítva az epitaxiális reaktorok nehéz körülményei között.

A grafit szubsztrátumot a Chemical Vapor Deposition (CVD) szilícium-karbid (SiC) legmodernebb bevonata javítja. Ezt a speciális SiC bevonatot aprólékosan felhordják egy kémiai gőzleválasztási eljárással, ami egyenletes és tartós réteget eredményez, amely beborítja a grafit felületét. A CVD SiC Coated Barrel Susceptor CVD SiC bevonata számtalan előnnyel jár, amelyek kritikusak az epitaxiális folyamatok szempontjából.

A CVD SiC bevonatú hordó szuszceptor CVD SiC bevonata kivételes termikus tulajdonságokkal rendelkezik, beleértve a magas hővezető képességet és a hőstabilitást. Ezek a tulajdonságok fontos szerepet játszanak a félvezető lapkák egyenletes és precíz melegítésében az epitaxiális növekedés során, ezáltal elősegítve a konzisztens réteglerakódást és minimalizálva a végtermék hibáit.

A CVD SiC Coated Barrel Susceptor hordó alakú kialakítása az ostya hatékony be- és kirakodására, valamint az optimális hőeloszlásra lett optimalizálva az ostya felületén. Ez a tervezési jellemző a CVD SiC bevonat kiváló teljesítményével párosulva páratlan folyamatszabályozást és hozamot garantál az epitaxiális gyártási műveletekben.