CVD SiC zuhanyfejek

A Semicorex CVD SiC zuhanyfejek nagy tisztaságú, precíziós tervezésű alkatrészek, amelyeket a fejlett félvezetőgyártásban használt CCP és ICP maratórendszerekhez terveztek. A Semicorex választása azt jelenti, hogy megbízható megoldásokat kapunk kiváló anyagtisztasággal, megmunkálási pontossággal és tartóssággal a legigényesebb plazmafolyamatokhoz.*

Kérdés küldése

termékleírás

A Semicorex CVD SiC zuhanyfejeket CCP maratáshoz használják. A CCP maratók két párhuzamos elektródát használnak (az egyik földelt, a másik RF áramforráshoz csatlakozik) a plazma előállításához. A plazmát a két elektróda között a köztük lévő elektromos tér tartja fenn. Az elektródák és a gázelosztó lemez egyetlen alkatrészbe vannak integrálva. A maratógázt egyenletesen permetezzük az ostya felületére a CVD SiC zuhanyfejeken lévő kis lyukakon keresztül. Ezzel egyidejűleg a zuhanyfejre (a felső elektródára is) rádiófrekvenciás feszültség kerül. Ez a feszültség elektromos mezőt hoz létre a felső és az alsó elektródák között, gerjesztve a gázt, hogy plazmát képezzen. Ez a kialakítás egyszerűbb és kompaktabb szerkezetet eredményez, miközben biztosítja a gázmolekulák egyenletes eloszlását és egyenletes elektromos mezőt, lehetővé téve a nagy ostyák egyenletes marását.

A CVD SiC zuhanyfejek ICP maratáshoz is alkalmazhatók. Az ICP maratógépek indukciós tekercset (általában mágnestekercset) használnak RF mágneses mező létrehozására, amely áramot és plazmát indukál. A CVD SiC zuhanyfejek külön alkatrészként felelősek a maratógáz egyenletes eljuttatásáért a plazma régióba.

A CVD SiC zuhanyfej egy nagy tisztaságú és precíziós gyártású alkatrész a félvezető-feldolgozó berendezésekhez, amely alapvető fontosságú a gázelosztás és az elektródák képessége szempontjából. A kémiai gőzleválasztásos (CVD) gyártást alkalmazva a zuhanyfej kivételt jelent

Az anyagok tisztasága és a kiváló méretszabályozás, amely megfelel a jövőbeni félvezetőgyártás szigorú követelményeinek.

A nagy tisztaság a CVD SiC zuhanyfejek egyik meghatározó előnye. A félvezető feldolgozás során a legkisebb szennyeződés is jelentősen befolyásolhatja az ostya minőségét és az eszköz hozamát. Ez a zuhanyfej rendkívül tiszta minőségűCVD szilícium-karbida részecske- és fémszennyeződés minimalizálása érdekében. Ez a zuhanyfej tiszta környezetet biztosít, és ideális olyan igényes folyamatokhoz, mint a vegyi gőzleválasztás, plazmamarás és epitaxiális növekedés.

Emellett a precíziós megmunkálás kiváló méretszabályozást és felületminőséget mutat. A CVD SiC zuhanyfejben lévő gázelosztó nyílások szigorú tűréshatárokkal készülnek, amelyek elősegítik az egyenletes és szabályozott gázáramlást az ostya felületén. A precíz gázáramlás javítja a film egyenletességét és ismételhetőségét, valamint javíthatja a hozamot és a termelékenységet. A megmunkálás a felületi érdesség csökkentését is segíti, ami csökkentheti a részecskék felhalmozódását és javíthatja az alkatrészek élettartamát.

CVD SiColyan eredendő anyagtulajdonságokkal rendelkezik, amelyek hozzájárulnak a zuhanyfej teljesítményéhez és tartósságához, beleértve a magas hővezető képességet, a plazma ellenállást és a mechanikai szilárdságot. A CVD SiC zuhanyfej túléli a szélsőséges folyamatkörnyezeteket – magas hőmérséklet, korrozív gázok stb. – miközben megőrzi a teljesítményt a hosszabb szervizciklusokon keresztül.

Hot Tags: CVD SiC zuhanyfejek, Kína, gyártók, beszállítók, gyári, testreszabott, tömeges, haladó, tartós

Termékcímke

Kapcsolódó kategória