az epitaxiális egykristályos Si Plate a kifinomultság, a tartósság és a megbízhatóság csúcsát foglalja magában a grafit epitaxiával és szeletkezeléssel kapcsolatos alkalmazásokhoz. Sűrűségével, síkszerűségével és hőkezelési képességeivel tűnik ki, így optimális választás a szigorú üzemi feltételekhez. A Semicorex elkötelezettsége a piacvezető minőség iránt, valamint a versenyképes fiskális megfontolások megerősíti azon törekvésünket, hogy partnerkapcsolatokat alakítsunk ki a félvezető lapkák szállítására vonatkozó követelmények teljesítése érdekében.
Az epitaxiális egykristályos Si-lemez egyik legfontosabb tulajdonsága a kiváló sűrűségben rejlik. A grafit szubsztrátum és a szilícium-karbid bevonat integrálása olyan átfogó sűrűséget eredményez, amely alkalmas a magas hőmérsékletű és korrozív környezetben előforduló szigorú körülmények elleni árnyékolásra. Ezenkívül a szilícium-karbid bevonatú szuszceptor, amelyet az egykristályok szintézisére szabtak, kivételesen egyenletes felületi profillal büszkélkedhet – ez kritikus meghatározó a kifogástalan minőségű ostyák tartós előállításához.
Ugyanilyen kulcsfontosságú termékünk kialakítása szempontjából a grafitmag és a szilícium-karbid burkolat közötti hőtágulási eltérések csökkentése. Egy ilyen innováció jelentősen növeli a ragasztóanyag robusztusságát, így megkerüli a repedések és rétegződés jelenségeit. Ezzel szinkronban az epitaxiális egykristályos Si Plate megnövekedett hővezető képességgel rendelkezik, és dicséretes hajlam párosul az egyenletes hőelosztásra – olyan tényezők, amelyek fontos szerepet játszanak a hőmérséklet homogenitásának elérésében a gyártási ciklus során.
Ezen túlmenően az epitaxiális egykristályos Si-lemez kiváló ellenálló képességet mutat az oxidatív és korrozív lebomlásokkal szemben magas hőmérsékleten, ami alátámasztja hosszú élettartamát és megbízhatóságát. A hőállóság küszöbét egy jelentős olvadáspont is alátámasztja, ezáltal biztosítja a képességét, hogy elviselje a szakszerű félvezetőgyártásban rejlő igényes termikus környezetet.