Egykristály szilícium Epi szuszceptor

Az Single-crystal Silicon Epi Susceptor a Si-GaN epitaxiás folyamatokhoz tervezett alapvető komponens, amely személyre szabott specifikációkhoz és preferenciákhoz szabható, így olyan testreszabott megoldást kínál, amely tökéletesen illeszkedik az adott követelményekhez. Legyen szó a méretek módosításáról vagy a bevonat vastagságának módosításáról, képesek vagyunk olyan terméket tervezni és szállítani, amely alkalmazkodik a különféle folyamatparaméterekhez, ezáltal optimalizálva a teljesítményt a célzott alkalmazásokhoz. A Semicorex elkötelezettsége a piacvezető minőség iránt, valamint a versenyképes fiskális megfontolások megerősíti azon törekvésünket, hogy partnerkapcsolatokat alakítsunk ki a félvezető lapkák szállítására vonatkozó követelmények teljesítése érdekében.

Kérdés küldése

termékleírás

A szuszceptorok az epitaxiális növekedési folyamat során szükségessé teszik, hogy ellenálljanak a magas hőmérsékletnek, és elviseljék a szigorú kémiai tisztítási eljárásokat. Az egykristályos szilícium Epi szuszceptort aprólékosan úgy tervezték, hogy kifejezetten megfeleljen az epitaxia-berendezések alkalmazásaiban felmerülő szigorú követelményeknek.

Ezek a szuszceptorok nagy tisztaságú szilícium-karbiddal (SiC) bevont grafitból készülnek, amely páratlan hőállóságot biztosít, egyenletes hőeloszlást biztosítva az egyenletes epitaxiás rétegvastagság és ellenállás érdekében.

Ezenkívül az egykristályos szilícium Epi Susceptor figyelemre méltó tartósságot mutat a kemény vegyi tisztítószerekkel szemben. A finom SiC kristálybevonat felhasználása tovább járul az érintetlen, sima felülethez, ami kiemelten fontos a hatékony kezeléshez, mivel a szennyeződésmentes lapkák teljes felületükön számos ponton érintkeznek a szuszceptorral.

Az Single-crystal Silicon Epi Susceptor használata megingathatatlan megbízhatóságot és hosszabb élettartamot biztosít, csökkenti a gyakori cserék szükségességét, és ezt követően minimalizálja az állásidőt és a karbantartási költségeket. Masszív felépítése és kivételes működési képességei jelentősen hozzájárulnak a folyamatok hatékonyságának növeléséhez, végső soron növelve a termelékenységet és a költséghatékonyságot a félvezetőgyártási műveletek területén.