Monokristályos szilícium ostya szuszceptor

A Semicorex Monokristályos Silicon Wafer Susceptor ideális megoldás a grafit epitaxiás és ostyakezelési folyamatokhoz. Ultra-tiszta termékünk minimális szennyeződést és kivételes hosszú élettartamot biztosít, így számos európai és amerikai piacon népszerű választás. A félvezető lapkahordozók vezető szállítójaként Kínában várjuk, hogy hosszú távú partnere lehessünk.

Kérdés küldése

termékleírás

A monokristályos szilícium epitaxiális szuszceptorunk egy nagy tisztaságú SiC bevonatú grafit termék, amely magas hő- és korrózióállósággal rendelkezik. A CVD szilícium-karbid bevonatú hordozót olyan eljárásokban használják, amelyek a félvezető lapkákon epitaxiális réteget képeznek. Nagy hővezető képességgel és kiváló hőelosztási tulajdonságokkal rendelkezik, amelyek elengedhetetlenek a hatékony és precíz félvezetőgyártási folyamatokhoz.
Monokristályos szilícium ostya szuszceptorunk egyik legfontosabb jellemzője a kiváló sűrűsége. Mind a grafit szubsztrát, mind a szilícium-karbid réteg jó sűrűséggel rendelkezik, és jó védő szerepet játszhat magas hőmérsékletű és korrozív munkakörnyezetekben. Az egykristály növesztéshez használt szilícium-karbid bevonatú szuszceptor nagyon magas felületi síksággal rendelkezik, ami elengedhetetlen a jó minőségű ostyagyártás fenntartásához.
Termékünk másik fontos tulajdonsága, hogy csökkenti a hőtágulási együttható különbségét a grafit szubsztrátum és a szilícium-karbid réteg között. Ez hatékonyan javítja a kötési szilárdságot, megelőzve a repedést és a rétegválást. Ezenkívül mind a grafit szubsztrát, mind a szilícium-karbid réteg magas hővezető képességgel és kiváló hőeloszlási tulajdonságokkal rendelkezik, biztosítva a hő egyenletes eloszlását a gyártási folyamat során.
Monokristályos szilícium ostya szuszceptorunk a magas hőmérsékletű oxidációnak és korróziónak is ellenáll, így megbízható és tartós termék. Magas olvadáspontja biztosítja, hogy ellenáll a hatékony félvezetőgyártáshoz szükséges magas hőmérsékletű környezetnek.
Összefoglalva, a Semicorex Monokristályos Szilícium Wafer Susceptor egy ultratiszta, tartós és megbízható megoldás a grafit epitaxiás és ostyakezelési folyamatokhoz. Kiváló sűrűsége, felületi síksága és hővezető képessége ideálissá teszik magas hőmérsékletű és korrozív környezetben való használatra. Büszkék vagyunk arra, hogy kiváló minőségű termékeket kínálunk versenyképes áron, és már alig várjuk, hogy együttműködjünk Önnel a félvezető lapkahordozóval kapcsolatos összes igényének kielégítésében.

A monokristályos szilícium lapka szuszceptor paraméterei

A CVD-SIC bevonat főbb specifikációi
SiC-CVD tulajdonságai
Kristályos szerkezet	FCC Î² fázis
Sűrűség	g/cm³	3.21
Keménység	Vickers keménység	2500
Szemcseméret	Î¼m	2~10
Kémiai tisztaság	%	99.99995
Hőkapacitás	J·kg-1 ·K-1	640
Szublimációs hőmérséklet	℃	2700
Felexurális Erő	MPa (RT 4 pontos)	415
Young's Modulus	Gpa (4 pt kanyar, 1300º)	430
Hőtágulás (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Hővezető	(W/mK)	300

A monokristályos szilícium ostya szuszceptor tulajdonságai

- Kerülje a leválást, és gondoskodjon a bevonatról minden felületen
Magas hőmérsékletű oxidációállóság: Stabil magas hőmérsékleten 1600°C-ig
Nagy tisztaságú: CVD kémiai gőzleválasztással készült magas hőmérsékletű klórozási körülmények között.
Korrózióállóság: nagy keménység, sűrű felület és finom részecskék.
Korrózióállóság: sav, lúg, só és szerves reagensek.
- A legjobb lamináris gázáramlási minta elérése
- Garantálja a termikus profil egyenletességét
- Kerülje el a szennyeződést vagy a szennyeződések diffúzióját