Epitaxiális ostyahajó

A Semicorex ostyahajókat, talapzatokat és egyedi ostyatartókat kínál függőleges / oszlopos és vízszintes konfigurációkhoz. Évek óta gyártói és szállítói vagyunk a szilícium-karbid bevonófóliáknak. Epitaxiális ostyahajónk jó árelőnnyel rendelkezik, és lefedi a legtöbb európai és amerikai piacot. Bízunk benne, hogy hosszú távú partnere lehetünk Kínában.

Kérdés küldése

termékleírás

Semicorex Epitaxial Wafer Boat, tökéletes megoldás az ostya feldolgozására a félvezetőgyártásban. Epitaxiális ostyacsónakjaink kiváló minőségű szilícium-karbid (SiC) kerámiából készülnek, amely kiválóan ellenáll a magas hőmérsékletnek és a kémiai korróziónak.
A szilícium-karbid Epitaxial Wafer Boat sima felülettel rendelkezik, amely minimálisra csökkenti a részecskeképződést, és biztosítja termékei számára a legmagasabb szintű tisztaságot. A kiváló hővezető képességgel és a kiváló mechanikai szilárdsággal rendelkező csónakjaink egyenletes és megbízható eredményeket biztosítanak.
Epitaxiális ostyahajóink kompatibilisek az összes szabványos ostyafeldolgozó berendezéssel, és akár 1600°C-os hőmérsékletet is kibírnak. Könnyen kezelhetők és tisztíthatók, így költséghatékony és hatékony választás az Ön gyártási igényeihez.
Szakértői csapatunk elkötelezett a legjobb minőség és szolgáltatás biztosítása mellett. Egyedi tervezést kínálunk az Ön egyedi igényeinek megfelelően, termékeinket minőségbiztosítási programunk támogatja.

Az epitaxiális ostyahajó paraméterei

Műszaki tulajdonságok
Index	Egység	Érték
Anyag neve		Reakció szinterezett szilícium-karbid	Nyomásmentes szinterezett szilícium-karbid	Újrakristályosított szilícium-karbid
Összetétel		RBSiC	SSiC	R-SiC
Térfogatsűrűség	g/cm3	3	3,15 ± 0,03	2,60-2,70
Hajlító szilárdság	MPa (kpsi)	338 (49)	380 (55)	80-90 (20°C) 90-100 (1400°C)
Nyomószilárdság	MPa (kpsi)	1120 (158)	3970(560)	> 600
Keménység	Gomb	2700	2800	/
Breaking Tenacity	MPa m1/2	4.5	4	/
Hővezetőképesség	W/m.k	95	120	23
Hőtágulási együttható	10^-6.1/°C	5	4	4.7
Fajlagos hő	Joule/g 0k	0.8	0.67	/
Max hőmérséklet a levegőben	℃	1200	1500	1600
Elasztikus modulus	Gpa	360	410	240

Az SSiC és az RBSiC közötti különbség:

1. A szinterezési folyamat eltérő. Az RBSiC célja a szabad Si szilícium-karbidba való beszivárgása alacsony hőmérsékleten, az SSiC 2100 fokos természetes zsugorodás útján jön létre.

2. Az SSiC simább felülettel, nagyobb sűrűséggel és nagyobb szilárdsággal rendelkezik, egyes szigorúbb felületi követelményeket támasztó tömítéseknél az SSiC jobb lesz.

3. Különböző használati idő eltérő PH és hőmérséklet mellett, az SSiC hosszabb, mint az RBSiC

A szilícium-karbid epitaxiális ostyahajó jellemzői

Nagy tisztaságú SiC, MOCVD bevonattal
Kiváló hőállóság és termikus egyenletesség
Finom SiC kristály bevonattal a sima felületért
Nagy tartósság a vegyszeres tisztítással szemben
Az anyagot úgy tervezték, hogy ne forduljon elő repedések és rétegvesztés.