Wafer Process Heater

A Semicorex Wafer Process Heater szilícium-karbid bevonatú (SiC) grafitból készül, a bevonatot CVD-módszerrel hordják fel bizonyos minőségű nagy sűrűségű grafitokra, így a magas hőmérsékletű kemencében, 3000 °C felett, inert atmoszférában működhet. 2200 °C vákuumban.
A Wafer Process Heater anyag speciális tulajdonságai és kis tömege gyors felfűtést, egyenletes hőmérsékleteloszlást és kiemelkedő vezérlési pontosságot tesz lehetővé. Más anyagokhoz képest a szilícium-karbid felülete alacsony hőtágulása miatt lapos marad még gyors hőmérséklet-változás mellett is. A főzőlapok kiválóan alkalmasak a félvezető-feldolgozó rendszerek igényes folyamataira.
A Semicorexnél arra összpontosítunk, hogy kiváló minőségű, költséghatékony termékeket biztosítsunk ügyfeleinknek. A Wafer Process Heaterünk árelőnnyel rendelkezik, és számos európai és amerikai piacra exportálják. Célunk, hogy az Ön hosszú távú partnere legyünk, állandó minőségű termékeket és kivételes ügyfélszolgálatot biztosítva.

A Wafer Process Heater paraméterei

A Wafer Process Heater jellemzői

- CVD SiC bevonatok az élettartam növelése érdekében.
- Magas hőmérséklet-ellenállás, korrózióállóság, hosszú élettartam, javíthatja az ostya minőségét és hozamát.
- Rendkívül alacsony hőtágulási együtthatóval, magas hőmérséklettel, magas kopásállósággal, jó szigeteléssel, jó kémiai stabilitással és közel lila (piros) látható fény behatolásával rendelkezik.

Oxidációgátló és hosszú élettartamú grafittégelyt, grafitformát és a grafitfűtő minden alkatrészét biztosítjuk.