Rézkarcgyűrű

A CVD SiC-ből készült maratógyűrű a félvezető gyártási folyamat alapvető eleme, kivételes teljesítményt nyújt plazmamaratási környezetben. Kiváló keménységével, vegyszerállóságával, termikus stabilitásával és nagy tisztaságával a CVD SiC biztosítja, hogy a maratási folyamat pontos, hatékony és megbízható legyen. A Semicorex CVD SiC maratógyűrűk kiválasztásával a félvezetőgyártók növelhetik berendezéseik élettartamát, csökkenthetik az állásidőt, és javíthatják termékeik általános minőségét.*

Kérdés küldése

termékleírás

A Semicorex Etching Ring a félvezetőgyártó berendezések, különösen a plazmamaratási rendszerek kritikus eleme. A kémiai gőzfázisú szilícium-karbidból (CVD SiC) készült alkatrész kiváló teljesítményt nyújt nagy igénybevételt jelentő plazmakörnyezetben, így nélkülözhetetlen választás a félvezetőipar precíziós maratási folyamataihoz.

A maratási folyamat, amely a félvezető eszközök létrehozásának alapvető lépése, olyan berendezéseket igényel, amelyek ellenállnak a kemény plazmakörnyezetnek anélkül, hogy leromlana. Ebben a folyamatban döntő szerepet játszik a maratógyűrű, amely a kamra részeként van elhelyezve, ahol plazmát használnak a minták szilíciumlapkákra marására.

A maratógyűrű szerkezeti és védőgátként funkcionál, biztosítva, hogy a plazma a maratási folyamat során pontosan oda kerüljön, ahol szükséges. A plazmakamrák szélsőséges körülményei miatt – például magas hőmérséklet, korrozív gázok és koptató plazma – elengedhetetlen, hogy a maratógyűrű olyan anyagokból készüljön, amelyek kivételes kopással és korrózióval szemben ellenállóak. Ez az a hely, ahol a CVD SiC (kémiai gőzleválasztásos szilícium-karbid) a maratógyűrű-gyártás legjobb választása.

A CVD SiC egy fejlett kerámiaanyag, amely kiemelkedő mechanikai, kémiai és termikus tulajdonságairól ismert. Ezek a jellemzők ideális anyaggá teszik a félvezetőgyártó berendezésekben, különösen a maratási folyamatban, ahol magas a teljesítményigény.

Nagy keménység és kopásállóság:

A CVD SiC az egyik legkeményebb elérhető anyag, a gyémánt után a második. Ez az extrém keménység kiváló kopásállóságot biztosít, így képes ellenállni a plazmamarat durva, koptató környezetének. A folyamat során folyamatosan ionokkal bombázott maratógyűrű más anyagokhoz képest hosszabb ideig képes megőrizni szerkezeti integritását, csökkentve a cserék gyakoriságát.

Kémiai tehetetlenség:

A maratási folyamat egyik elsődleges szempontja a plazmagázok, például a fluor és a klór korrozív természete. Ezek a gázok jelentős károsodást okozhatnak a vegyileg nem ellenálló anyagokban. A CVD SiC azonban kivételes kémiai inertséget mutat, különösen korrozív gázokat tartalmazó plazmakörnyezetben, ezáltal megakadályozza a félvezető lapkák szennyeződését és biztosítja a maratási folyamat tisztaságát.

Hőstabilitás:

A félvezető maratási folyamatok gyakran megemelt hőmérsékleten mennek végbe, ami hőterhelést okozhat az anyagokon. A CVD SiC kiváló termikus stabilitással és alacsony hőtágulási együtthatóval rendelkezik, amely lehetővé teszi alakjának és szerkezeti integritásának megőrzését még magas hőmérsékleten is. Ez minimálisra csökkenti a termikus deformáció kockázatát, biztosítva a folyamatos maratási pontosságot a gyártási ciklus során.

Nagy tisztaságú:

A félvezetőgyártás során használt anyagok tisztasága rendkívül fontos, mivel bármilyen szennyeződés negatívan befolyásolhatja a félvezető eszközök teljesítményét és hozamát. A CVD SiC egy nagy tisztaságú anyag, amely csökkenti annak kockázatát, hogy szennyeződések kerüljenek a gyártási folyamatba. Ez hozzájárul a nagyobb hozamokhoz és a jobb általános minőséghez a félvezetőgyártás során.

A CVD SiC-ből készült maratógyűrűt elsősorban plazmamaratási rendszerekben használják, amelyeket bonyolult minták félvezető lapkákra marására használnak. Ezek a minták elengedhetetlenek a modern félvezető eszközökben található mikroszkopikus áramkörök és alkatrészek létrehozásához, beleértve a processzorokat, memóriachipeket és más mikroelektronikát.