itthon > Termékek > Ostya > Epi-Wafer > GaN Epitaxia
GaN Epitaxia

GaN Epitaxia

A Semicorex egyedi vékonyrétegű HEMT (gallium-nitrid) GaN epitaxiát biztosít Si/SiC/GaN szubsztrátumokon. A Semicorex elkötelezett amellett, hogy minőségi termékeket kínáljon versenyképes áron, ezért várjuk, hogy hosszú távú partnere lehessünk Kínában.

Kérdés küldése

termékleírás

A Gallium Nitride GaN epitaxy egy széles sávú félvezető anyag, kiváló elektromos és optikai tulajdonságokkal, így ígéretes jelölt a különféle elektronikus és optoelektronikai eszközök számára.

A GaN epitaxy forradalmasította a GaN-alapú eszközök fejlesztését, beleértve a nagy teljesítményű elektronikát, a szilárdtest-világítást (LED-eket) és a nagyfrekvenciás eszközöket. A kiváló minőségű GaN epitaxiális rétegek termesztésének képessége az anyagtulajdonságok precíz szabályozásával jelentősen javította a GaN eszközök teljesítményét, hatékonyságát és megbízhatóságát, hozzájárulva a különböző iparágak, például a teljesítményelektronika, a távközlés és a fogyasztói elektronika fejlődéséhez.




Hot Tags: GaN Epitaxy, Kína, gyártók, beszállítók, gyári, testreszabott, tömeges, haladó, tartós
Kapcsolódó kategória
Kérdés küldése
Kérdését az alábbi űrlapon adja meg. 24 órán belül válaszolunk.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept