GaN epitaxia

A Gallium Nitride GaN epitaxy egy széles sávú félvezető anyag, kiváló elektromos és optikai tulajdonságokkal, így ígéretes jelölt a különféle elektronikus és optoelektronikai eszközök számára.

A GaN epitaxy forradalmasította a GaN-alapú eszközök fejlesztését, beleértve a nagy teljesítményű elektronikát, a szilárdtest-világítást (LED-eket) és a nagyfrekvenciás eszközöket. A kiváló minőségű GaN epitaxiális rétegek termesztésének képessége az anyagtulajdonságok precíz szabályozásával jelentősen javította a GaN-eszközök teljesítményét, hatékonyságát és megbízhatóságát, hozzájárulva a különböző iparágak fejlődéséhez, például a teljesítményelektronikában, a távközlésben és a fogyasztói elektronikában.