Si Epitaxia

Az Si-epitaxia lehetővé teszi bizonyos rétegtulajdonságok, például vastagság, adalékkoncentráció és összetétel tervezését. Azáltal, hogy szabályozott mennyiségű szennyeződést, úgynevezett dópolót juttatunk az epitaxiális rétegbe, a keletkező eszközök elektromos jellemzői pontosan testre szabhatók. Ez lehetővé teszi különböző vezetőképességi típusokkal (n-típusú vagy p-típusú) és kívánt vivőkoncentrációkkal rendelkező különböző régiók létrehozását, lehetővé téve összetett elektronikus áramkörök integrálását.

Az Si-epitaxia a fejlett félvezető eszközök, köztük a mikroprocesszorok, memóriachipek, képérzékelők és napelemek gyártásának alapvető folyamata. Létfontosságú szerepet játszik az eszköz teljesítményének, miniatürizálásának és funkcionalitásának javításában. A kiváló minőségű epitaxiális rétegek felvitele az anyagtulajdonságok pontos szabályozásával hozzájárul a félvezetőipar folyamatos fejlődéséhez és innovációjához.