SiC epitaxia

A Semicorex egyedi vékonyrétegű (szilícium-karbid) SiC epitaxiát biztosít a szubsztrátumokon a szilícium-karbid eszközök fejlesztéséhez.

A SiC epitaxia testreszabható, hogy megfeleljen a speciális eszközigényeknek adalékanyagok beépítésével vagy különböző kristályorientációjú növesztéssel. Az epitaxiális réteg szennyeződésekkel, például nitrogénnel vagy alumíniummal való adalékolása lehetővé teszi az elektromos tulajdonságok módosítását, például a hordozókoncentráció szabályozását vagy a p-n átmenetek létrehozását.

A SiC epitaxiális réteg minőségét különféle jellemzési technikákkal értékelik, beleértve a röntgendiffrakciót, a pásztázó elektronmikroszkópiát, az atomerő-mikroszkópiát és az elektromos méréseket. Ezek a technikák segítenek az epitaxiális réteg kristályszerkezetének, felületi morfológiájának és elektromos teljesítményének értékelésében.

A Semicorex a következőket kínálja: SiC epitaxiális ostya, GaN epitaxiális ostya, Si Epitaxy, SiC ostya stb.