SiC epitaxia

A Semicorex egyedi vékonyrétegű (szilícium-karbid) SiC epitaxiát biztosít a szubsztrátumokon a szilícium-karbid eszközök fejlesztéséhez.

A SiC epitaxia dópolók beépítésével vagy különböző kristályorientációjú növesztéssel testre szabható az eszközök speciális követelményeinek kielégítésére. Az epitaxiális réteg szennyeződésekkel, például nitrogénnel vagy alumíniummal való adalékolása lehetővé teszi az elektromos tulajdonságok módosítását, például a hordozókoncentráció szabályozását vagy a p-n átmenetek létrehozását.

A SiC epitaxiális réteg minőségét különféle jellemzési technikákkal értékelik, beleértve a röntgendiffrakciót, a pásztázó elektronmikroszkópiát, az atomerő-mikroszkópiát és az elektromos méréseket. Ezek a technikák segítenek az epitaxiális réteg kristályszerkezetének, felületi morfológiájának és elektromos teljesítményének értékelésében.

A Semicorex a következőket kínálja: SiC epitaxiális ostya, GaN epitaxiális ostya, Si Epitaxy, SiC ostya stb.