N-típusú szilícium-karbid por

A Semicorex N-típusú szilícium-karbid por (SiC) egy nagy tisztaságú, adalékolt SiC anyag, amelyet kifejezetten fejlett kristálynövekedési alkalmazásokhoz terveztek. Ezt az N-típusú szilícium-karbid port kiváló elektromos tulajdonságai és szerkezeti integritása jellemzi, így ideális választás a különféle nagy teljesítményű félvezető eszközökben használt szilícium-karbid kristályok előállításához.

Az N típusú szilícium-karbid port nitrogénnel (N) adalékolják, amely további szabad elektronokat juttat be a SiC kristályrácsba, növelve annak elektromos vezetőképességét. Ez az N-típusú adalékolás döntő fontosságú a precíz elektronikus tulajdonságokat igénylő alkalmazásokban. Az N-típusú szilícium-karbid por szigorú tisztítási folyamatokon megy keresztül a magas tisztasági szint elérése érdekében, minimálisra csökkentve a szennyeződések jelenlétét, amelyek befolyásolhatják a kristálynövekedési folyamatot és a végtermék teljesítményét.

A Semicorex N-típusú szilícium-karbid por finom, egyenletes méretű részecskékből áll, amelyek elősegítik az egyenletes kristálynövekedést és javítják a szilícium-karbid kristályok általános minőségét.

Ez az N-típusú szilícium-karbid por, amelyet elsősorban a szilícium-karbid kristályok termesztésére használnak, a nagy teljesítményű elektronikai eszközök, a magas hőmérséklet-érzékelők és a különféle optoelektronikai alkatrészek gyártásában szervesen illeszkedik. Alkalmas továbbá a félvezetőipar kutatási és fejlesztési tevékenységére.

Jellemzők

Alkalmazások:

Szilícium-karbid kristálynövekedés: Kiindulási anyagként használják kiváló minőségű SiC kristályok termesztéséhez.

Félvezető eszközök: Ideális nagy teljesítményű és nagyfrekvenciás elektronikus alkatrészekhez.

Magas hőmérsékletű elektronika: Alkalmas olyan alkalmazásokhoz, amelyek extrém körülmények között is robusztus teljesítményt igényelnek.

Optoelektronika: Olyan eszközökben használható, amelyek kivételes hő- és elektromos tulajdonságokat igényelnek.