- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Ipari hírek
Kiváló minőségű SiC kristálynövekedés elérése a hőmérséklet gradiens szabályozásával a kezdeti növekedési fázisban
A szilícium-karbid (SiC) egy széles sávú félvezető anyag, amely az elmúlt években jelentős figyelmet kapott a nagyfeszültségű és magas hőmérsékletű alkalmazásokban nyújtott kivételes teljesítménye miatt. Ez a tanulmány szisztematikusan feltárja a módosított eljárási körülmények között termesztett Si......
Olvass tovább
Tanulmány az elektromos ellenállás eloszlásáról n-típusú 4H-SiC kristályokban
A 4H-SiC, mint harmadik generációs félvezető anyag, széles sávszélességéről, magas hővezető képességéről, valamint kiváló kémiai és termikus stabilitásáról híres, így rendkívül értékes a nagy teljesítményű és nagyfrekvenciás alkalmazásokban.
Olvass tovább
