A GaN anyagok a 2014-es fizikai Nobel-díj kék LED-ekért való odaítélését követően kerültek előtérbe. A GaN-alapú teljesítményerősítők és rádiófrekvenciás eszközök kezdetben a fogyasztói elektronika gyorstöltő alkalmazásai révén kerültek a nyilvánosság elé. Az elmúlt években a GaN-alapú autóipari tel......
Olvass továbbA félvezető technológia és a mikroelektronika területén a szubsztrátok és az epitaxia fogalma jelentős jelentőséggel bír. Kritikus szerepet játszanak a félvezető eszközök gyártási folyamatában. Ez a cikk a félvezető szubsztrátumok és az epitaxia közötti különbségekkel foglalkozik, kitérve azok defin......
Olvass továbbA szilícium-karbid (SiC) gyártási folyamata magában foglalja a szubsztrátum és az epitaxia előkészítését az anyagok oldaláról, ezt követi a chipek tervezése és gyártása, az eszközök csomagolása, és végül a továbbfelhasználási piacokon történő elosztás. E szakaszok között a hordozóanyag feldolgozása ......
Olvass továbbA szilícium-karbid számos felhasználási területtel rendelkezik a feltörekvő iparágakban és a hagyományos iparágakban. Jelenleg a globális félvezetőpiac meghaladta a 100 milliárd jüant. A félvezetőgyártási anyagok globális értékesítése 2025-re várhatóan eléri a 39,5 milliárd USD-t, amelyből a szilíci......
Olvass továbbA hagyományos szilícium-elektromos eszközök gyártásában a magas hőmérsékletű diffúzió és az ionimplantáció az adalékanyag szabályozásának elsődleges módja, mindegyiknek megvannak a maga előnyei és hátrányai. A magas hőmérsékletű diffúziót jellemzően az egyszerűség, a költséghatékonyság, az izotróp a......
Olvass tovább