- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Ipari hírek
A szilícium-karbid (SiC) szubsztrátumok legfontosabb paraméterei
A szilícium-karbid (SiC) gyártási folyamata magában foglalja a szubsztrátum és az epitaxia előkészítését az anyagok oldaláról, ezt követi a chipek tervezése és gyártása, az eszközök csomagolása, és végül a továbbfelhasználási piacokon történő elosztás. E szakaszok között a hordozóanyag feldolgozása ......
Olvass tovább
Szilícium-karbid alkalmazások
A szilícium-karbid számos felhasználási területtel rendelkezik a feltörekvő iparágakban és a hagyományos iparágakban. Jelenleg a globális félvezetőpiac meghaladta a 100 milliárd jüant. A félvezetőgyártási anyagok globális értékesítése 2025-re várhatóan eléri a 39,5 milliárd USD-t, amelyből a szilíci......
Olvass tovább
A szilícium-karbid-ion beültetési és izzítási folyamat bemutatása
A hagyományos szilícium-elektromos eszközök gyártásában a magas hőmérsékletű diffúzió és az ionimplantáció az adalékanyag szabályozásának elsődleges módja, mindegyiknek megvannak a maga előnyei és hátrányai. A magas hőmérsékletű diffúziót jellemzően az egyszerűség, a költséghatékonyság, az izotróp a......
Olvass tovább
Epitaxiális rétegek: A fejlett félvezető eszközök alapja
A félvezetőiparban az epitaxiális rétegek kulcsfontosságú szerepet játszanak azáltal, hogy speciális egykristályos vékony filmeket képeznek egy ostyahordozón, összefoglaló néven epitaxiális lapkákként. A szilícium-karbid (SiC) epitaxiális rétegek vezetőképes SiC szubsztrátumokon különösen homogén Si......
Olvass tovább
