- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Ipari hírek
SiC epitaxia
Kétféle epitaxia létezik: homogén és heterogén. Különböző alkalmazásokhoz specifikus ellenállású és egyéb paraméterekkel rendelkező SiC eszközök előállításához a szubsztrátumnak meg kell felelnie az epitaxia feltételeinek a gyártás megkezdése előtt. Az epitaxia minősége befolyásolja a készülék telje......
Olvass tovább
Száraz rézkarc vs nedves maratás
In semiconductor fabrication, etching is one of the major steps, along with photolithography and thin-film deposition. It involves removing unwanted materials from the surface of a wafer using chemical or physical methods. This step is carried out after coating, photolithography, and developing. It ......
Olvass tovább
A SiC kristályok hibáiról - Mikrocső
A SiC szubsztrátumnak lehetnek mikroszkopikus hibái, mint például a menetcsavar diszlokáció (TSD), a menetél diszlokáció (TED), az alapsík diszlokáció (BPD) és mások. Ezeket a hibákat az atomok atomi szintű elrendezésének eltérései okozzák. A SiC kristályoknak lehetnek makroszkópikus diszlokációi is......
Olvass tovább
