- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Ipari hírek
Monokristályos szilícium vs. polikristályos szilícium
Az egykristályos szilícium és a polikristályos szilícium mindegyikének megvannak a maga egyedi előnyei és alkalmazható forgatókönyvei. Az egykristályos szilícium kiváló elektromos és mechanikai tulajdonságai miatt alkalmas nagy teljesítményű elektronikai termékekhez és mikroelektronikához. A polikri......
Olvass tovább
Szubsztrát és epitaxia
Az ostyakészítés folyamatában két fő láncszem van: az egyik a szubsztrát előkészítése, a másik az epitaxiális folyamat megvalósítása. A szubsztrát, egy félvezető egykristály anyagból gondosan elkészített ostya, közvetlenül felhasználható az ostyagyártási folyamatban félvezető eszközök gyártásának al......
Olvass tovább
Szilícium ostya
A szilícium anyag szilárd anyag, amely bizonyos elektromos félvezető tulajdonságokkal és fizikai stabilitással rendelkezik, és hordozót biztosít a későbbi integrált áramkör gyártási folyamatához. A szilícium alapú integrált áramkörök kulcsfontosságú anyaga. A félvezető eszközök több mint 95%-a és az......
Olvass tovább
Szilícium-karbid szubsztrát magfolyamat
A szilícium-karbid szubsztrát egy összetett félvezető egykristály anyag, amely két elemből, szénből és szilíciumból áll. Jellemzői: nagy sávszélesség, nagy hővezető képesség, nagy kritikus áttörési térerősség és nagy elektrontelítési sodródási sebesség.
Olvass tovább
A SiC szubsztrátok kritikus szerepe és a kristálynövekedés a félvezetőiparban
A szilícium-karbid (SiC) ipari láncon belül a szubsztrátum-beszállítók jelentős tőkeáttétellel rendelkeznek, elsősorban az értékmegosztás miatt. A teljes érték 47%-át a SiC hordozók teszik ki, ezt követik az epitaxiális rétegek 23%-kal, míg az eszköztervezés és -gyártás a fennmaradó 30%-ot. Ez a for......
Olvass tovább
