- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
hírek
A grafitcsónak alapvető technológiájának bemutatása
A Graphite Boat a technológiai innováció élvonalában áll iparágában, és úttörő fejlesztéseket tartalmaz, amelyek célja a teljesítmény, a tisztaság és az élettartam növelése. Az alábbiakban bemutatjuk azokat az alapvető technológiákat, amelyek meghatározzák a grafitcsónak kiválóságát:
Olvass tovább
Porózus grafit kiváló minőségű SiC kristálynövekedéshez PVT módszerrel
A szilícium-karbid (SiC) kulcsfontosságú anyaggá vált a félvezető-technológia területén, és olyan kivételes tulajdonságokkal rendelkezik, amelyek rendkívül kívánatossá teszik különféle elektronikai és optoelektronikai alkalmazásokhoz. A kiváló minőségű SiC egykristályok előállítása döntő fontosságú ......
Olvass tovább
3 grafitformázási módszer
A grafitöntéshez a négy fő öntési módszer a következő: extrudálás, fröccsöntés, vibrációs öntés és izosztatikus öntés. A piacon kapható legtöbb szén- és grafitanyagot forró extrudálással és fröccsöntéssel (hideg vagy meleg) öntik, és az izosztatikus öntés a vezető fröccsöntési teljesítményű módszer.......
Olvass tovább
Mi az izosztatikus grafit?
A speciális grafit a 99,99%-nál nagyobb széntömegű grafit, más néven "három nagy grafit" (nagy szilárdság, nagy sűrűség, nagy tisztaság). Nagy szilárdság, nagy sűrűség, nagy tisztaság, nagy kémiai stabilitás, magas hő- és elektromos vezetőképesség, magas hőmérséklet-állóság, sugárzásállóság, erős ke......
Olvass tovább
Bemutatkozik a fizikai gőzszállítás (PVT)
A SiC saját tulajdonságai határozzák meg, hogy az egykristály növekedése nehezebb. Az atmoszférikus nyomáson lévő Si:C=1:1 folyadékfázis hiánya miatt a félvezetőipar fő áramlata által alkalmazott érettebb növekedési folyamat nem használható az érettebb növekedési módszer – egyenes húzás módszer, a l......
Olvass tovább
Megjelent a 850 V-os nagy teljesítményű GaN HEMT epitaxiális termékek
2023 novemberében a Semicorex kiadta a 850 V-os GaN-on-Si epitaxiális termékeket nagyfeszültségű, nagyáramú HEMT tápegység-alkalmazásokhoz. A HMET tápegységek más hordozóihoz képest a GaN-on-Si nagyobb szeletméreteket és változatosabb alkalmazásokat tesz lehetővé, valamint gyorsan beilleszthető a fő......
Olvass tovább
