A vastag, nagy tisztaságú szilícium-karbid (SiC) rétegek, amelyek általában meghaladja az 1 mm-t, kritikus alkotóelemek különféle nagy értékű alkalmazásokban, beleértve a félvezetőgyártást és az űrtechnológiákat. Ez a cikk az ilyen rétegek előállításának kémiai gőzfázisú leválasztási (CVD) eljárásáv......
Olvass továbbA Chemical Vapor Deposition (CVD) egy sokoldalú vékonyréteg-leválasztási technika, amelyet a félvezetőiparban széles körben alkalmaznak kiváló minőségű, konform vékony filmek előállítására különböző hordozókon. Ez a folyamat magában foglalja a gáz-halmazállapotú prekurzorok kémiai reakcióit a fűtött......
Olvass továbbEz a cikk a szilícium-karbid (SiC) csónakok felhasználásával és jövőbeli pályájával foglalkozik a kvarchajókkal kapcsolatban a félvezetőiparon belül, különös tekintettel a napelemgyártásban való alkalmazásukra.
Olvass továbbA gallium-nitrid (GaN) epitaxiális ostya növesztése összetett folyamat, amely gyakran kétlépéses módszert alkalmaz. Ez a módszer több kritikus szakaszt foglal magában, beleértve a magas hőmérsékletű sütést, a pufferréteg növekedését, az átkristályosítást és az izzítást. A hőmérséklet ezen szakaszok ......
Olvass továbbMind az epitaxiális, mind a diffúz ostyák nélkülözhetetlen anyagok a félvezetőgyártásban, de gyártási folyamataik és célzott alkalmazásaik tekintetében jelentősen eltérnek egymástól. Ez a cikk az ostyatípusok közötti főbb különbségeket vizsgálja.
Olvass továbbA maratás elengedhetetlen folyamat a félvezetőgyártásban. Ez a folyamat két típusra osztható: száraz maratásra és nedves maratásra. Mindegyik technikának megvannak a maga előnyei és korlátai, ezért elengedhetetlen a köztük lévő különbségek megértése. Tehát hogyan választja ki a legjobb maratási móds......
Olvass tovább