- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Céges hírek
Demisztifikáló elektrosztatikus tokmány (ESC) technológia az ostyakezelésben
Az elektrosztatikus tokmányok (ESC) nélkülözhetetlenekké váltak a félvezetőgyártásban és a lapos kijelzők gyártásában, sérülésmentes, jól ellenőrizhető módszert kínálva a kényes lapkák és hordozók megtartására és elhelyezésére a kritikus feldolgozási lépések során. Ez a cikk az ESC technológia bonyo......
Olvass tovább
Nagy tisztaságú CVD vastag szilícium-karbamid: folyamatbetekintés az anyagnövekedés érdekében
A vastag, nagy tisztaságú szilícium-karbid (SiC) rétegek, amelyek általában meghaladja az 1 mm-t, kritikus alkotóelemek különféle nagy értékű alkalmazásokban, beleértve a félvezetőgyártást és az űrtechnológiákat. Ez a cikk az ilyen rétegek előállításának kémiai gőzfázisú leválasztási (CVD) eljárásáv......
Olvass tovább
A kémiai gőzlerakódás (CVD) megértése: Átfogó áttekintés
A Chemical Vapor Deposition (CVD) egy sokoldalú vékonyréteg-leválasztási technika, amelyet a félvezetőiparban széles körben alkalmaznak kiváló minőségű, konform vékony filmek előállítására különböző hordozókon. Ez a folyamat magában foglalja a gáz-halmazállapotú prekurzorok kémiai reakcióit a fűtött......
Olvass tovább
SiC csónakok vs. kvarc csónakok: jelenlegi felhasználás és jövőbeli trendek a félvezetőgyártásban
Ez a cikk a szilícium-karbid (SiC) csónakok felhasználásával és jövőbeli pályájával foglalkozik a kvarchajókkal kapcsolatban a félvezetőiparon belül, különös tekintettel a napelemgyártásban való alkalmazásukra.
Olvass tovább
Gallium-nitrid epitaxiális lapkák: Bevezetés a gyártási folyamatba
A gallium-nitrid (GaN) epitaxiális ostya növesztése összetett folyamat, amely gyakran kétlépéses módszert alkalmaz. Ez a módszer több kritikus szakaszt foglal magában, beleértve a magas hőmérsékletű sütést, a pufferréteg növekedését, az átkristályosítást és az izzítást. A hőmérséklet ezen szakaszok ......
Olvass tovább
