- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Céges hírek
Az első 6 hüvelykes gallium-oxid szubsztrát iparosító cég
A közelmúltban cégünk bejelentette, hogy a cég öntési módszerrel sikeresen kifejlesztett egy 6 hüvelykes Gallium Oxide egykristályt, ezzel az első hazai iparosodott cégként sajátította el a 6 hüvelykes Gallium Oxide egykristályos szubsztrátum előkészítési technológiát.
Olvass tovább
Hőszigetelő anyag
A monokristályos szilícium növekedési folyamata túlnyomórészt termikus mezőben megy végbe, ahol a termikus környezet minősége jelentősen befolyásolja a kristályminőséget és a növekedési hatékonyságot. A hőtér kialakítása kulcsfontosságú szerepet játszik a hőmérséklet-gradiensek és a gázáramlás dinam......
Olvass tovább
Melyek a szilícium-karbid szubsztrátumgyártás kihívásai?
A szilícium-karbid (SiC) olyan anyag, amely nagy kötési energiával rendelkezik, hasonlóan más kemény anyagokhoz, mint a gyémánt és a köbös bór-nitrid. A SiC magas kötési energiája azonban megnehezíti a hagyományos olvasztási módszerekkel történő közvetlen ingotokká történő kristályosítást. Ezért a s......
Olvass tovább
Mi az a szilícium-karbid (SiC)?
A félvezető anyagok az időbeli sorrend szerint három generációra oszthatók. A germánium, szilícium és más általánosan használt monoanyagok első generációja, amelyet kényelmes kapcsolás jellemez, általában integrált áramkörökben használják. A gallium-arzenid, indium-foszfid és más összetett félvezető......
Olvass tovább
