- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Céges hírek
Plazmafolyamatok a CVD-műveletekben
A kémiai gőzfázisú leválasztás (CVD) olyan folyamattechnológiára utal, amelyben több gáznemű reagens különböző parciális nyomáson megy keresztül kémiai reakción meghatározott hőmérsékleti és nyomási körülmények között. A keletkező szilárd anyag lerakódik a szubsztrátum anyagának felületére, ezáltal ......
Olvass tovább
Szilícium epitaxiális rétegek és szubsztrátok a félvezető gyártásban
A modern elektronika, optoelektronika, mikroelektronika és információtechnológia területén a félvezető hordozók és az epitaxiális technológiák nélkülözhetetlenek. Szilárd alapot biztosítanak a nagy teljesítményű, nagy megbízhatóságú félvezető eszközök gyártásához. A technológia fejlődésével a félvez......
Olvass tovább
Az első 6 hüvelykes gallium-oxid szubsztrát iparosító cég
A közelmúltban cégünk bejelentette, hogy a cég öntési módszerrel sikeresen kifejlesztett egy 6 hüvelykes Gallium Oxide egykristályt, ezzel az első hazai iparosodott cégként sajátította el a 6 hüvelykes Gallium Oxide egykristályos szubsztrátum előkészítési technológiát.
Olvass tovább
Hőszigetelő anyag
A monokristályos szilícium növekedési folyamata túlnyomórészt termikus mezőben megy végbe, ahol a termikus környezet minősége jelentősen befolyásolja a kristályminőséget és a növekedési hatékonyságot. A hőtér kialakítása kulcsfontosságú szerepet játszik a hőmérséklet-gradiensek és a gázáramlás dinam......
Olvass tovább
