Az ostyakészítés folyamatában két fő láncszem van: az egyik a szubsztrát előkészítése, a másik az epitaxiális folyamat megvalósítása. A szubsztrát, egy félvezető egykristály anyagból gondosan elkészített ostya, közvetlenül felhasználható az ostyagyártási folyamatban félvezető eszközök gyártásának al......
Olvass továbbA Chemical Vapor Deposition (CVD) egy sokoldalú vékonyréteg-leválasztási technika, amelyet a félvezetőiparban széles körben alkalmaznak kiváló minőségű, konform vékony filmek előállítására különböző hordozókon. Ez a folyamat magában foglalja a gáz-halmazállapotú prekurzorok kémiai reakcióit a fűtött......
Olvass továbbA szilícium anyag szilárd anyag, amely bizonyos elektromos félvezető tulajdonságokkal és fizikai stabilitással rendelkezik, és hordozót biztosít a későbbi integrált áramkör gyártási folyamatához. A szilícium alapú integrált áramkörök kulcsfontosságú anyaga. A félvezető eszközök több mint 95%-a és az......
Olvass továbbEz a cikk a szilícium-karbid (SiC) csónakok felhasználásával és jövőbeli pályájával foglalkozik a kvarchajókkal kapcsolatban a félvezetőiparon belül, különös tekintettel a napelemgyártásban való alkalmazásukra.
Olvass továbbA gallium-nitrid (GaN) epitaxiális ostya növesztése összetett folyamat, amely gyakran kétlépéses módszert alkalmaz. Ez a módszer több kritikus szakaszt foglal magában, beleértve a magas hőmérsékletű sütést, a pufferréteg növekedését, az átkristályosítást és az izzítást. A hőmérséklet ezen szakaszok ......
Olvass tovább