itthon > Termékek > Szilícium-karbid bevonatú > Hordó vevő > SiC bevonatú hordó szuszceptor az epitaxiális növekedéshez
SiC bevonatú hordó szuszceptor az epitaxiális növekedéshez

SiC bevonatú hordó szuszceptor az epitaxiális növekedéshez

Kiváló sűrűségével és hővezető képességével a Semicorex SiC bevonatú hordó szuszceptor az epitaxiális növekedéshez ideális választás magas hőmérsékletű és korrozív környezetben való használatra. A nagy tisztaságú SiC bevonatú grafit termék kiváló védelmet és hőelosztást biztosít, megbízható és egyenletes teljesítményt biztosítva a félvezetőgyártási alkalmazásokban.

Kérdés küldése

termékleírás

A Semicorex SiC bevonatú hordó szuszceptor az epitaxiális növekedéshez tökéletes választás a félvezető lapkák epixiális rétegének kialakításához, kiváló hővezető képességének és hőeloszlási tulajdonságainak köszönhetően. Szilícium-karbid bevonata kiváló védelmet nyújt még a legigényesebb magas hőmérsékletű és korrozív környezetben is.

A Semicorexnél arra összpontosítunk, hogy kiváló minőségű, költséghatékony termékeket biztosítsunk ügyfeleinknek. SiC bevonatú hordó szuszceptorunk epitaxiális növekedéshez árelőnnyel rendelkezik, és számos európai és amerikai piacra exportálják. Célunk, hogy az Ön hosszú távú partnere legyünk, állandó minőségű termékeket és kivételes ügyfélszolgálatot biztosítva.


A SiC bevonatú hordó szuszceptor paraméterei az epitaxiális növekedéshez

A CVD-SIC bevonat főbb specifikációi

SiC-CVD tulajdonságai

Kristályszerkezet

FCC β fázis

Sűrűség

g/cm³

3.21

Keménység

Vickers keménység

2500

Szemcseméret

μm

2~10

Kémiai tisztaság

%

99.99995

Hőkapacitás

J kg-1 K-1

640

Szublimációs hőmérséklet

2700

Felexurális Erő

MPa (RT 4 pontos)

415

Young's Modulus

Gpa (4 pont kanyar, 1300 ℃)

430

Hőtágulás (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Hővezetőképesség

(W/mK)

300


A SiC bevonatú hordó szuszceptor jellemzői az epitaxiális növekedéshez

- Mind a grafit szubsztrát, mind a szilícium-karbid réteg jó sűrűségű, és jó védő szerepet játszhat magas hőmérsékleten és korrozív munkakörnyezetben.

- Az egykristály növesztéshez használt szilícium-karbid bevonatú szuszceptor nagyon magas felületi síksággal rendelkezik.

- Csökkentse a hőtágulási együttható különbségét a grafit szubsztrát és a szilícium-karbid réteg között, hatékonyan javítja a kötési szilárdságot a repedés és a rétegvesztés megakadályozása érdekében.

- Mind a grafit szubsztrát, mind a szilícium-karbid réteg magas hővezető képességgel és kiváló hőelosztási tulajdonságokkal rendelkezik.

- Magas olvadáspont, magas hőmérsékletű oxidációállóság, korrózióállóság.




Hot Tags: SiC bevonatú hordó szuszceptor epitaxiális növekedéshez, Kína, gyártók, beszállítók, gyári, testreszabott, tömeges, fejlett, tartós
Kapcsolódó kategória
Kérdés küldése
Kérdését az alábbi űrlapon adja meg. 24 órán belül válaszolunk.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept